| 引言 | 第1-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-17页 |
| 第一节 硅基光电子学发展现状及其研究意义 | 第7-11页 |
| 第二节 半导体材料的光学非线性 | 第11-14页 |
| 第三节 课题来源及论文的主要内容 | 第14-17页 |
| 第二章 nc-Si:H薄膜和nc-Si/SiO_2超晶格结构和吸收特性研究 | 第17-30页 |
| 第一节 nc-Si:H薄膜结构和吸收特性研究 | 第17-23页 |
| 第二节 nc-Si/SiO_2超晶格结构和吸收特性研究 | 第23-30页 |
| 第三章 nc-Si:H薄膜的激子非线性的测量 | 第30-40页 |
| 第一节 激子和激子吸收 | 第30-35页 |
| 第二节 泵浦-探测法测量nc-Si:H薄膜的激子非线性 | 第35-40页 |
| 第四章 nc-Si/SiO_2超晶格的三阶光学非线性研究 | 第40-54页 |
| 第一节 Z-扫描理论与计算 | 第40-47页 |
| 第二节 Z-扫描方法研究nc-Si/SiO_2超晶格的光学非线性 | 第47-50页 |
| 第三节 四波混频法测量nc-Si/SiO_2超晶格的三阶非线性 | 第50-54页 |
| 第五章 结论 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-57页 |
| 后记 | 第57页 |