| 摘要 | 第1-8页 |
| ABSTRACT | 第8-10页 |
| 目录 | 第10-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-32页 |
| ·课题来源 | 第13页 |
| ·课题研究的目的和意义 | 第13-20页 |
| ·半导体纳米材料的发展 | 第13-14页 |
| ·半导体纳米粒子的基本性质 | 第14-15页 |
| ·半导体纳米材料的特性 | 第15-19页 |
| ·半导体纳米制备方法的研究意义 | 第19-20页 |
| ·国内外研究概况 | 第20-26页 |
| ·本论文的选题背景和研究内容 | 第26-27页 |
| 参考文献 | 第27-32页 |
| 第二章 电子束辐射法制备硫化铅半导体纳米材料 | 第32-53页 |
| ·引言 | 第32-33页 |
| ·实验 | 第33-35页 |
| ·试剂和仪器 | 第33-34页 |
| ·制备过程 | 第34页 |
| ·产物表征 | 第34-35页 |
| ·结果和讨论 | 第35-49页 |
| ·辐射法制备的硫化铅纳米晶体表征分析 | 第35-40页 |
| ·硫源对制备硫化铅纳米晶体的影响 | 第40-42页 |
| ·表面活性剂对制备硫化铅纳米晶体的影响 | 第42-44页 |
| ·反应物浓度比对制备硫化铅纳米晶体的影响 | 第44-48页 |
| ·反应机理 | 第48-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-53页 |
| 第三章 电子束辐射法制备硒化镉半导体纳米材料 | 第53-80页 |
| ·氨水为络合剂采用电子束辐射法制备CdSe纳米材料 | 第54-64页 |
| ·引言 | 第54-55页 |
| ·实验 | 第55-56页 |
| ·试剂和仪器 | 第55页 |
| ·CdSe量子点的制备 | 第55页 |
| ·表征与测试 | 第55-56页 |
| ·结果与讨论 | 第56-64页 |
| ·X射线粉晶衍射分析 | 第56-57页 |
| ·透射电镜分析 | 第57-58页 |
| ·CdSe纳米晶的光学性质 | 第58-60页 |
| ·辐照剂量对电子束辐射法制备的CdSe纳米晶的影响 | 第60-63页 |
| ·反应机理 | 第63-64页 |
| ·EDTA为表面修饰剂采用电子束辐射法在水相中合成发射蓝光的CdSe量子点 | 第64-76页 |
| ·引言 | 第64-65页 |
| ·实验 | 第65-66页 |
| ·试剂 | 第65页 |
| ·CdSe量子点的制备 | 第65-66页 |
| ·表征与测试 | 第66页 |
| ·结果与讨论 | 第66-76页 |
| ·X射线粉晶衍射分析 | 第66-67页 |
| ·透射电镜和原子力显微镜分析 | 第67-69页 |
| ·红外光谱分析 | 第69-70页 |
| ·CdSe量子点光学性质 | 第70-74页 |
| ·pH值对电子束辐射法制备的CdSe量子点的影响 | 第74-75页 |
| ·反应机理 | 第75-76页 |
| ·本章小结 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-80页 |
| 第四章 电子束辐射法制备硒化铅半导体纳米材料 | 第80-95页 |
| ·引言 | 第80-81页 |
| ·实验 | 第81-82页 |
| ·试剂和仪器 | 第81页 |
| ·制备过程 | 第81页 |
| ·产物表征 | 第81-82页 |
| ·结果和讨论 | 第82-92页 |
| ·辐射法制备的硒化铅纳米晶体的表征和光学性能分析 | 第82-86页 |
| ·表面活性剂对制备硒化铅纳米晶体的影响 | 第86-87页 |
| ·辐射剂量对制备硒化铅纳米晶体的影响 | 第87-90页 |
| ·反应机理 | 第90-91页 |
| ·辐照法与化学法的对比实验 | 第91-92页 |
| ·本章小结 | 第92-93页 |
| 参考文献 | 第93-95页 |
| 第五章 电子束辐射法制备硒化锡半导体纳米材料 | 第95-105页 |
| ·引言 | 第95页 |
| ·实验 | 第95-97页 |
| ·试剂和仪器 | 第95-96页 |
| ·制备过程 | 第96页 |
| ·产物表征 | 第96-97页 |
| ·结果和讨论 | 第97-103页 |
| ·辐射法制备的硒化锡纳米晶体表征和光学性能分析 | 第97-100页 |
| ·辐射剂量对制备SnSe纳米晶体的影响 | 第100-102页 |
| ·反应机理 | 第102-103页 |
| ·本章小结 | 第103页 |
| 参考文献 | 第103-105页 |
| 第六章 电子束辐射法制备氧化铁半导体纳米材料 | 第105-113页 |
| ·引言 | 第105页 |
| ·实验 | 第105-107页 |
| ·实验试剂与仪器 | 第105-106页 |
| ·实验方法 | 第106-107页 |
| ·结果和讨论 | 第107-111页 |
| ·X射线衍射分析 | 第107-108页 |
| ·透射电镜和原子力显微镜分析 | 第108-109页 |
| ·红外光谱分析 | 第109-110页 |
| ·DSC/TGA分析 | 第110-111页 |
| ·本章小结 | 第111页 |
| 参考文献 | 第111-113页 |
| 第七章 电子束辐射法制备二氧化锡纳米半导体材料 | 第113-126页 |
| ·引言 | 第113-114页 |
| ·实验 | 第114-116页 |
| ·试剂和仪器 | 第114页 |
| ·二氧化锡纳米棒制备过程 | 第114页 |
| ·产物表征 | 第114-115页 |
| ·气敏性能测试 | 第115-116页 |
| ·结果和讨论 | 第116-123页 |
| ·辐射法制备的二氧化锡纳米晶体的结构和形貌的表征 | 第116-117页 |
| ·电子束辐射法制备的二氧化锡纳米棒的生长机理 | 第117-119页 |
| ·电子束辐射法制备SnO_2纳米棒的气敏性能测试 | 第119-123页 |
| ·本章小结 | 第123-124页 |
| 参考文献 | 第124-126页 |
| 第八章 电子束辐射改性传感器件的气敏特性 | 第126-145页 |
| ·电子束辐射改性二氧化锡传感器的气敏特性 | 第126-136页 |
| ·引言 | 第126-127页 |
| ·实验 | 第127-128页 |
| ·试剂和材料 | 第127页 |
| ·仪器和设备 | 第127页 |
| ·实验过程 | 第127-128页 |
| ·结果和讨论 | 第128-136页 |
| ·辐照剂量对SnO_2传感器灵敏性能的影响 | 第128-129页 |
| ·辐照剂量对SnO_2传感器气体选择性的影响 | 第129-130页 |
| ·辐照剂量对SnO_2传感器响应—恢复特性的影响 | 第130-132页 |
| ·辐照后SnO_2传感器的稳定性 | 第132-134页 |
| ·机理分析 | 第134-136页 |
| ·电子束辐照改性ZnGa_2O_4传感器的气敏特性 | 第136-142页 |
| ·引言 | 第136页 |
| ·实验 | 第136-137页 |
| ·试剂和材料 | 第136页 |
| ·仪器和设备 | 第136-137页 |
| ·实验过程 | 第137页 |
| ·结果和讨论 | 第137-142页 |
| ·电子束辐照对ZnGa_2O_4传感器气敏性能的影响 | 第137-138页 |
| ·辐照剂量对ZnGa_2O_4传感器灵敏性能的影响 | 第138-139页 |
| ·电子束辐照对ZnGa_2O_4传感器工作温度的影响 | 第139-140页 |
| ·电子束辐照对ZnGa_2O_4传感器响应—恢复特性的影响 | 第140-141页 |
| ·电子束辐照后的ZnGa_2O_4传感器的稳定性 | 第141页 |
| ·机理分析 | 第141-142页 |
| ·本章小结 | 第142页 |
| 参考文献 | 第142-145页 |
| 第九章 全文结论与展望 | 第145-148页 |
| ·全文结论 | 第145-146页 |
| ·特色和创新之处 | 第146-147页 |
| ·展望 | 第147-148页 |
| 作者在攻读博士学位期间公开发表的论文 | 第148-150页 |
| 作者在攻读博士学位期间申请和授权的专利 | 第150-151页 |
| 作者在攻读博士学位期间参加的项目 | 第151-152页 |
| 致谢 | 第152页 |
