基于0.5μm CMOS工艺低压多级放大器设计
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-13页 |
| ·论文的背景和研究意义 | 第9-10页 |
| ·低电压低功耗设计的限制因素及国内外现状 | 第10-11页 |
| ·论文的主要工作 | 第11-13页 |
| 第二章 放大器设计的基础知识 | 第13-33页 |
| ·简单的MOS 大信号模型 | 第13-16页 |
| ·MOSFET 的伏安特性 | 第13-15页 |
| ·二级效应 | 第15-16页 |
| ·MOS 管的小信号模型 | 第16-17页 |
| ·单级CMOS 放大器 | 第17-26页 |
| ·反相器 | 第18-20页 |
| ·差分放大器 | 第20-21页 |
| ·共源共栅放大器 | 第21-22页 |
| ·输出放大器 | 第22-26页 |
| ·运放系统稳定性概述 | 第26-28页 |
| ·低压模拟集成电路设计技术 | 第28-32页 |
| ·引言 | 第28页 |
| ·衬底驱动MOSFET 工作原理 | 第28-30页 |
| ·衬底驱动MOSFET 的超低压特性 | 第30-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 多级放大器频率补偿结构分析 | 第33-51页 |
| ·背景和动机 | 第33-34页 |
| ·多级放大器频率补偿结构 | 第34-50页 |
| ·单级放大器 | 第34-35页 |
| ·两级密勒电容补偿放大器 | 第35-38页 |
| ·嵌套式密勒补偿多级放大器 | 第38-41页 |
| ·嵌套式G_m -C 频率补偿放大器 | 第41-43页 |
| ·带阻尼因子控制块的频率补偿放大器 | 第43-44页 |
| ·单个密勒电容补偿三级放大器 | 第44-46页 |
| ·有源反馈频率补偿放大器 | 第46-47页 |
| ·双回路平行频率补偿结构 | 第47-49页 |
| ·跨导电容反馈频率补偿放大器 | 第49-50页 |
| ·多级放大器频率补偿结构的比较 | 第50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第四章 运算放大器的设计 | 第51-65页 |
| ·引言 | 第51-53页 |
| ·反向有源反馈频率补偿结构原理分析 | 第53-56页 |
| ·反向有源反馈频率补偿放大器的电路结构 | 第56-57页 |
| ·放大器的仿真 | 第57-62页 |
| ·仿真工具及模型 | 第57页 |
| ·放大器的增益及相位仿真 | 第57-58页 |
| ·放大器的电源抑制比（PSRR） | 第58页 |
| ·放大器的共模抑制比（CMRR） | 第58-59页 |
| ·放大器差模输入范围 | 第59页 |
| ·放大器共模输入范围 | 第59-60页 |
| ·放大器的转换效率和建立时间 | 第60-61页 |
| ·放大器的IFOM_S 和IFOM_L | 第61页 |
| ·结果汇总 | 第61-62页 |
| ·放大器版图设计 | 第62-63页 |
| ·本章小结 | 第63-65页 |
| 第五章 结束语 | 第65-66页 |
| 附录A | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-71页 |
| 研究成果 | 第71-72页 |
