| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-9页 |
| 1 绪论 | 第9-16页 |
| 前言 | 第9-10页 |
| ·Cu及Cu_xO(x=1,2)催化性能的研究现状 | 第10-11页 |
| ·薄膜材料的制备方法 | 第11-14页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第11-12页 |
| ·电子束蒸发沉积法 | 第12-13页 |
| ·化学气相沉积法 | 第13页 |
| ·磁控溅射法 | 第13页 |
| ·电镀法 | 第13-14页 |
| ·丝网印刷法 | 第14页 |
| ·本课题的研究意义及研究内容 | 第14-16页 |
| 2 溅射镀膜的实验方法 | 第16-25页 |
| ·溅射镀膜的原理 | 第16-18页 |
| ·本实验所用磁控溅射设备简介 | 第18-20页 |
| ·制备工艺及实施方案 | 第20-21页 |
| ·薄膜的表征和性能测试 | 第21-23页 |
| ·X-射线衍射光谱仪 | 第21页 |
| ·原子力显微镜 | 第21-22页 |
| ·场发射扫描电子显微镜 | 第22页 |
| ·台阶仪 | 第22页 |
| ·拉曼光谱仪 | 第22页 |
| ·差示扫描量热仪 | 第22-23页 |
| ·热重质谱联用仪 | 第23页 |
| ·实验药品和仪器 | 第23-25页 |
| 3 磁控溅射工艺参数对铜膜结构、成分及形貌的影响 | 第25-42页 |
| ·引言 | 第25页 |
| ·不同基底对薄膜结构的影响 | 第25-27页 |
| ·薄膜的制备 | 第25-26页 |
| ·薄膜的XRD分析 | 第26-27页 |
| ·不同溅射功率对薄膜结构的影响 | 第27-31页 |
| ·薄膜的制备 | 第27页 |
| ·薄膜的XRD分析 | 第27-28页 |
| ·薄膜的AFM及台阶仪分析 | 第28-30页 |
| ·薄膜的SEM分析 | 第30-31页 |
| ·不同溅射压强对薄膜结构的影响 | 第31-34页 |
| ·薄膜的制备 | 第31页 |
| ·薄膜的XRD分析 | 第31-32页 |
| ·薄膜的AFM和台阶仪分析 | 第32-34页 |
| ·不同溅射时间对薄膜结构的影响 | 第34-36页 |
| ·薄膜的制备 | 第34页 |
| ·薄膜的XRD分析 | 第34-35页 |
| ·薄膜的AFM和台阶仪分析 | 第35-36页 |
| ·薄膜的SEM分析 | 第36页 |
| ·不同氧化温度对薄膜结构和成分的影响 | 第36-41页 |
| ·薄膜的制备 | 第36页 |
| ·薄膜的XRD分析 | 第36-38页 |
| ·薄膜的Raman分析 | 第38-39页 |
| ·薄膜的AFM分析 | 第39-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 4 铜及氧化物薄膜对AP热分解反应过程的作用效果 | 第42-57页 |
| ·引言 | 第42页 |
| ·实验仪器和样品 | 第42-43页 |
| ·样品与产物的表征实验 | 第43-44页 |
| ·研磨后铜薄膜的SEM分析 | 第43页 |
| ·铜薄膜与AP反应后残渣的XRD分析 | 第43-44页 |
| ·铜薄膜对AP热分解反应的影响的DSC实验 | 第44-50页 |
| ·不同含量的铜薄膜对AP热分解反应的影响 | 第44-46页 |
| ·不同沉积时间制备铜薄膜对AP热分解反应的影响 | 第46-47页 |
| ·不同溅射功率制备铜薄膜对AP热分解反应的影响 | 第47-48页 |
| ·不同溅射压强制备铜薄膜对AP热分解反应的影响 | 第48-49页 |
| ·不同氧化温度处理铜薄膜对AP热分解反应的影响 | 第49-50页 |
| ·铜薄膜催化AP热分解反应的TG/DTG和MS实验 | 第50-53页 |
| ·铜薄膜催化AP热分解反应的TG/DTG实验 | 第50-51页 |
| ·铜催化AP热分解反应的MS实验及机理探讨 | 第51-53页 |
| ·催化机理探讨 | 第53-55页 |
| ·高氯酸铵热分解机理 | 第53-54页 |
| ·铜及氧化物薄膜对高氯酸铵热分解反应的机理探讨 | 第54-55页 |
| ·本章小结 | 第55-57页 |
| 全文结论 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-65页 |