摘要 | 第1-4页 |
Abstract | 第4-7页 |
1 绪论 | 第7-16页 |
·纳米材料与纳米技术简 | 第7-8页 |
·简介 | 第7页 |
·纳米材料的发展史 | 第7-8页 |
·纳米半导体材料及其特性 | 第8-10页 |
·纳米半导体材料的简述 | 第8-9页 |
·纳米半导体材料的特性 | 第9-10页 |
·金属硫化物纳米半导体材料的研究进展及应用 | 第10-14页 |
·硫化铅(PbS) | 第11-12页 |
·硫化锑(Sb_2S_3) | 第12-13页 |
·硫化铋(Bi_2S_3) | 第13-14页 |
·纳米半导体材料的光催化作用 | 第14-15页 |
·本论文的研究内容和创新点 | 第15-16页 |
2 PbS纳米晶的微结构控制与表征 | 第16-35页 |
·试剂与仪器 | 第16-17页 |
·试剂 | 第16页 |
·仪器 | 第16-17页 |
·立方形PbS纳米晶的制备及表征 | 第17-27页 |
·实验方法 | 第17页 |
·结果与讨论 | 第17-20页 |
·反应条件对形成立方形PbS纳米晶的影响 | 第20-26页 |
·形成立方形PbS纳米晶的机理 | 第26-27页 |
·星型PbS纳米晶的制备及表征 | 第27-34页 |
·实验方法 | 第27页 |
·结果与讨论 | 第27-31页 |
·反应条件对形成星形PbS纳米晶的影响 | 第31-33页 |
·形成星状PbS纳米晶的机理 | 第33-34页 |
·本章小结 | 第34-35页 |
3 Sb_2S_3纳米晶的微结构可控合成、表征及催化性能研究 | 第35-53页 |
·试剂与仪器 | 第35页 |
·试剂 | 第35页 |
·仪器 | 第35页 |
·Sb_2S_3纳米线的制备及表征 | 第35-43页 |
·实验方法 | 第35-36页 |
·结果与讨论 | 第36-39页 |
·反应条件对形成Sb_2S_3纳米线束的影响 | 第39-43页 |
·Sb_2S_3纳米微球的制备及表征 | 第43-46页 |
·实验方法 | 第43-44页 |
·结果与讨论 | 第44-46页 |
·Sb_2S_3纳米晶的光催化性能研究 | 第46-52页 |
·实验方法 | 第46-47页 |
·光催化效果分析 | 第47-52页 |
·本章小结 | 第52-53页 |
4 单原料前驱体分解法制备Bi_2S_3等 | 第53-61页 |
·前言 | 第53页 |
·实验方法 | 第53-55页 |
·试剂与仪器 | 第53-54页 |
·单原料前驱体的制备 | 第54页 |
·硫化物的制备 | 第54-55页 |
·结果与讨论 | 第55-60页 |
·Bi_2S_3纳米晶的表征 | 第55-56页 |
·CdS和CoS_x微米晶的表征 | 第56-58页 |
·ZnS和NiS微米晶的表征 | 第58-60页 |
·本章小结 | 第60-61页 |
全文总结 | 第61-62页 |
致谢 | 第62-63页 |
参考文献 | 第63-69页 |
攻读硕士期间发表的论文 | 第69页 |