GaAs光电导开关中载流子输运规律研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 半绝缘GaAs光电导开关简介 | 第9-24页 |
| ·光电导开关发展历史 | 第9-10页 |
| ·光电导开关的结构 | 第10页 |
| ·光电导开关的应用 | 第10-13页 |
| ·超宽带脉冲源 | 第11页 |
| ·THz电磁波源 | 第11-13页 |
| ·半绝缘GaAs特性 | 第13-16页 |
| ·光电导开关的工作模式 | 第16-19页 |
| ·光电导开关载流子输运实验测试方法 | 第19-21页 |
| ·数值方法研究载流子输运规律 | 第21-22页 |
| ·研究思路及内容 | 第22-24页 |
| 2 光电导开关线性模式的输运 | 第24-44页 |
| ·电导率模型及其不足 | 第24-26页 |
| ·线性模式下的全电流模型 | 第26-37页 |
| ·光电导开关中的电流 | 第26-28页 |
| ·内建电场变化引起的位移电流 | 第28-31页 |
| ·负载分压引起的位移电流 | 第31-33页 |
| ·位移电流对光电导开关输出的影响 | 第33-36页 |
| ·光电导开关的全电流模型 | 第36-37页 |
| ·线性模式下的非线性输运 | 第37-42页 |
| ·本章小结 | 第42-44页 |
| 3 非线性工作模式下载流子输运研究 | 第44-72页 |
| ·光电导开关非线性理论 | 第44页 |
| ·GaAs的光吸收特性 | 第44-52页 |
| ·吸收系数 | 第45-47页 |
| ·GaAs光吸收机制 | 第47-50页 |
| ·影响GaAs材料光吸收的外界条件 | 第50-52页 |
| ·GaAs的发光特性 | 第52-56页 |
| ·带间直接跃迁复合发光 | 第53-54页 |
| ·自由激子复合发光 | 第54页 |
| ·高激发强度下GaAs辐射复合发光 | 第54-56页 |
| ·内建电场形成初期的输运 | 第56-59页 |
| ·数值计算模型的建立 | 第56-57页 |
| ·数值计算结果 | 第57-59页 |
| ·光电导体中的瞬态光学性质 | 第59-62页 |
| ·光电导体内的瞬态辐射发光 | 第59-60页 |
| ·光电导体内的瞬态光吸收特性 | 第60-62页 |
| ·二次光子激励下的雪崩畴 | 第62-70页 |
| ·光激发电荷畴 | 第62-65页 |
| ·二次光子激励下的雪崩畴 | 第65-67页 |
| ·雪崩畴模型下的非线性模式 | 第67-70页 |
| ·本章小结 | 第70-72页 |
| 4 光电导开关实验研究 | 第72-87页 |
| ·光电导开关主要性能指标 | 第72-76页 |
| ·绝缘强度 | 第72-74页 |
| ·传输性能 | 第74-75页 |
| ·开关的功率容量和寿命 | 第75-76页 |
| ·大间隙光电导开关输出特性实验研究 | 第76-81页 |
| ·实验过程及实验数据 | 第76-78页 |
| ·实验结果分析 | 第78-81页 |
| ·光电导开关产生电磁辐射实验研究 | 第81-85页 |
| ·超宽带电磁辐射技术 | 第81-82页 |
| ·大间隙光电导产生高功率电磁辐射实验研究 | 第82-85页 |
| ·小结 | 第85-87页 |
| 5 总结与展望 | 第87-89页 |
| ·总结 | 第87-88页 |
| ·展望 | 第88-89页 |
| 致谢 | 第89-90页 |
| 参考文献 | 第90-97页 |
| 在读期间发表的科研论文 | 第97-98页 |
| 在读期间参与的科研项目 | 第98页 |
