高功率GaAs光电导开关的特性与击穿机理研究

中文摘要	第1-5页
Abstract	第5-8页
目录	第8-11页
1 绪论	第11-26页
·光电导开关发展历程	第11-14页
·光电导开关研究现状	第14-23页
·材料研究现状	第14-15页
·电极材料及制作工艺现状	第15-16页
·理论研究现状	第16-17页
·应用研究现状	第17-23页
·国内研究现状	第23页
·本文研究目标及内容	第23-26页
·研究目标	第23-24页
·研究内容	第24-26页
2 光电导开关基本结构与材料特性	第26-33页
·光电导开关基本结构	第26-27页
·横向光电导开关结构原理与绝缘封装	第27-28页
·GaAs材料分析	第28页
·GaAs材料特性	第28-32页
·GaAs的能带结构	第29页
·GaAs与Si材料特性比较	第29-30页
·速场关系	第30-31页
·吸收深度与波长关系	第31-32页
·本章小结	第32-33页
3 光电导开关中高场畴特性研究	第33-69页
·耿氏的发现	第33-34页
·半导体中负微分电导率产生机理	第34-35页
·与能带结构相关的负微分电导	第34页
·电子俘获机制	第34-35页
·转移电子机制	第35页
·高场畴动力学分析	第35-45页
·介电弛豫现象	第35-36页
·电荷畴形成	第36-38页
·稳态畴分析	第38-40页
·畴中空间电荷和电场分布	第40-41页
·畴电压和畴外电场关系	第41-44页
·畴的形成条件	第44-45页
·光电导开关基本原理	第45-46页
·半绝缘GaAs光电导开关的两种工作模式	第46-48页
·开关测试电路	第46-47页
·线性工作模式	第47页
·非线性工作模式	第47-48页
·光激发电荷畴模型	第48-55页
·非线性模式实验规律	第48-51页
·光激发电荷畴理论和实验依据	第51-53页
·光激发电荷畴器件的等效电路	第53-55页
·开关材料光吸收机制	第55-60页
·带间单光子吸收	第55-57页
·双光子吸收	第57-59页
·非本征吸收	第59页
·经由局域激发态的二步过程	第59-60页
·激子吸收	第60页
·半绝缘GaAs光电导开关中的畴现象	第60-67页
·猝灭畴模式	第60-65页
·延迟畴模式	第65-67页
·本章小结	第67-69页
4 光电导开关非线性模式的理论模型	第69-82页
·基于不同机理非线性模式的理论模型	第69-74页
·雪崩注入模型	第69-71页
·流注模型	第71-72页
·集体碰撞电离模型	第72-74页
·Lock-on效应多畴模型	第74-78页
·Lock-on电场测量	第74-76页
·多畴模型	第76-78页
·Lock-on效应的抑制	第78-81页
·串联火花隙抑制电路	第78-79页
·组合开关输出波形	第79-80页
·Lock-on效应抑制物理机理分析	第80-81页
·本章小结	第81-82页
5 光电导开关高电压强电流特性研究	第82-90页
·开关电极制作	第82-84页
·开关高压强流实验	第84-86页
·高压强流测试装置	第84-85页
·通流能力测试与通态电阻测量	第85-86页
·开关耐压与寿命测试	第86-89页
·耐压测试	第86-87页
·寿命测试	第87-89页
·本章小结	第89-90页
6 光电导开关击穿机理研究	第90-101页
·击穿样品及相关实验	第90-92页
·第一类击穿机理分析	第92-94页
·第二类击穿机理分析	第94-99页
·陷阱俘获载流子几率分布	第94-95页
·陷阱填充空间电荷限制电流模型	第95-97页
·击穿机理	第97-99页
·本章小结	第99-101页
7 研究总结	第101-103页
致谢	第103-104页
参考文献	第104-118页
攻读博士学位期间发表的论文	第118-120页
攻读博士学位期间主持和参与的主要科研项目	第120页