| 致谢 | 第1-6页 |
| 中文摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-11页 |
| 1 引言 | 第11-17页 |
| ·单晶硅炉加热电源的发展现状 | 第11-12页 |
| ·单晶硅炉加热电源的发展趋势 | 第12-14页 |
| ·全数字化控制的高频单晶硅炉加热电源系统 | 第14-15页 |
| ·本文的主要工作 | 第15-16页 |
| ·本章小结 | 第16-17页 |
| 2 系统的总体设计方案 | 第17-35页 |
| ·技术指标 | 第17页 |
| ·系统电路结构形式的选择 | 第17-21页 |
| ·单个功率单元形式 | 第18-19页 |
| ·多个功率单元并联方式,单个控制系统方案 | 第19页 |
| ·多个功率单元,多个控制系统方案 | 第19-20页 |
| ·本系统电路结构方案 | 第20-21页 |
| ·总体结构 | 第21-22页 |
| ·主电路结构 | 第22-33页 |
| ·输入整流及滤波电路 | 第23页 |
| ·FB-ZVS-PWM移相全桥软开关变换器 | 第23-32页 |
| ·超微晶高频水冷变压器 | 第32-33页 |
| ·次级全波整流电路 | 第33页 |
| ·单晶硅炉加热电源的实物照片 | 第33-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 3 FB-ZVS-PWM移相全桥软开关变换器的设计 | 第35-55页 |
| ·三相整流桥及直流滤波的设计 | 第35-36页 |
| ·三相整流桥的选择 | 第35页 |
| ·直流滤波电容的选择 | 第35-36页 |
| ·IGBT及吸收电容的选择 | 第36页 |
| ·IGBT的选择 | 第36页 |
| ·IGBT吸收电容的选择 | 第36页 |
| ·高频变压器的设计 | 第36-42页 |
| ·变压器磁芯的设计 | 第36-38页 |
| ·变压器原副边匝数比的确定 | 第38-39页 |
| ·变压器原副边匝数 | 第39页 |
| ·变压器绕线线径 | 第39-40页 |
| ·变压器结构设计 | 第40-42页 |
| ·次级全波整流电路的设计 | 第42-46页 |
| ·快恢复整流二极管的选择 | 第42-43页 |
| ·快恢复二极管不均流的估算 | 第43-45页 |
| ·快恢复二极管RC吸收回路设计 | 第45-46页 |
| ·隔直电容的选择 | 第46-47页 |
| ·控制系统设计 | 第47-54页 |
| ·控制策略 | 第47-49页 |
| ·软件程序流程 | 第49-52页 |
| ·人机交互平台 | 第52-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 4 电源的散热设计 | 第55-65页 |
| ·散热分析 | 第55-58页 |
| ·散热方式选择 | 第55-56页 |
| ·影响水冷散热效果的几个关键因素 | 第56-58页 |
| ·功率单元的水冷却系统设计 | 第58-63页 |
| ·整流桥模块热损耗 | 第59页 |
| ·IGBT的损耗功率计算 | 第59-61页 |
| ·快恢复整流二极管的损耗 | 第61页 |
| ·冷却水量的计算 | 第61-63页 |
| ·本章小结 | 第63-65页 |
| 5 仿真及实验结果分析 | 第65-73页 |
| ·主电路仿真分析 | 第65-67页 |
| ·实验结果分析 | 第67-72页 |
| ·主要波形分析 | 第67-71页 |
| ·电能质量分析 | 第71-72页 |
| ·本章小结 | 第72-73页 |
| 6 结论 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-77页 |
| 作者简历 | 第77-81页 |
| 学位论文数据集 | 第81页 |