| 摘要 | 第8-10页 |
| Abstract | 第10-11页 |
| 第一章 绪论 | 第12-25页 |
| 1.1 半导体光催化技术研究背景介绍 | 第12-13页 |
| 1.2 半导体光催化技术机理 | 第13-15页 |
| 1.3 改进与修饰半导体光催化材料的方法 | 第15-18页 |
| 1.3.1 能带结构工程 | 第16页 |
| 1.3.2 形貌与尺寸的调控 | 第16-17页 |
| 1.3.3 晶相与晶面工程 | 第17页 |
| 1.3.4 缺陷设计 | 第17页 |
| 1.3.5 离子与元素掺杂 | 第17-18页 |
| 1.3.6 负载助催化剂 | 第18页 |
| 1.4 空心结构光催化材料研究现状 | 第18-23页 |
| 1.4.1 空心结构光催化材料的制备方法 | 第20-21页 |
| 1.4.2 空心结构的形成机理 | 第21-23页 |
| 1.5 新型高效光催化材料的设计合成 | 第23页 |
| 1.6 本论文研究内容及意义 | 第23-25页 |
| 第二章 具有暴露{001}晶面的Bi_2O_2SiO_3单晶纳米片的合成及光催化性能研究 | 第25-45页 |
| 2.1 前言 | 第25-26页 |
| 2.2 本章的主要内容 | 第26页 |
| 2.3 实验部分 | 第26-29页 |
| 2.3.1 材料及试剂 | 第26-27页 |
| 2.3.2 催化剂的制备 | 第27页 |
| 2.3.3 催化剂的表征 | 第27-28页 |
| 2.3.4 催化剂的电化学性能表征 | 第28页 |
| 2.3.5 催化剂的催化性能测试 | 第28页 |
| 2.3.6 活性物种的检测 | 第28-29页 |
| 2.4 结果与讨论 | 第29-44页 |
| 2.4.1 物相结构 | 第29页 |
| 2.4.2 表面元素的价态和组成 | 第29-32页 |
| 2.4.3 形貌和晶面的表征 | 第32-35页 |
| 2.4.4 形成机理 | 第35页 |
| 2.4.5 CTAB在形貌与晶面调控中的作用 | 第35-37页 |
| 2.4.6 光电化学性能 | 第37-40页 |
| 2.4.7 光催化性能的评价 | 第40-42页 |
| 2.4.8 光催化反应机理 | 第42-44页 |
| 2.5 本章小结 | 第44-45页 |
| 第三章 中空结构的三元金属硫化物的合成及其光催化性能研究 | 第45-69页 |
| 3.1 前言 | 第45-46页 |
| 3.2 本章主要内容 | 第46页 |
| 3.3 实验部分 | 第46-49页 |
| 3.3.1 材料及试剂 | 第46-48页 |
| 3.3.2 催化剂的制备 | 第48页 |
| 3.3.3 催化剂的表征 | 第48页 |
| 3.3.4 催化剂的催化性能测试 | 第48-49页 |
| 3.3.5 催化剂电化学性能的测试 | 第49页 |
| 3.4 结果与讨论 | 第49-67页 |
| 3.4.1 结构与形貌 | 第49-54页 |
| 3.4.2 空心结构的形成机理 | 第54-58页 |
| 3.4.3 多级微球的演变过程及形成机理 | 第58-59页 |
| 3.4.4 氮气吸脱附分析 | 第59-61页 |
| 3.4.5 光电化学性质 | 第61-64页 |
| 3.4.6 光催化活性 | 第64-65页 |
| 3.4.7 光催化机理 | 第65-67页 |
| 3.5 本章结论 | 第67-69页 |
| 第四章 结论与展望 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-85页 |
| 致谢 | 第85-86页 |
| 附录A 攻读硕士学位期间科研成果 | 第86-87页 |
| 附录B 攻读硕士期间所获得奖励 | 第87页 |