低浓度SiC粉体浆料的分散性和稳定性研究及其对SiC膜性能的影响
摘要 | 第5-7页 |
Abstract | 第7-8页 |
第1章 文献综述 | 第12-26页 |
1.1 前言 | 第12页 |
1.2 碳化硅陶瓷膜 | 第12-19页 |
1.2.1 碳化硅的结构 | 第13-14页 |
1.2.2 陶瓷膜的制备方法 | 第14-17页 |
1.2.3 碳化硅陶瓷膜的应用 | 第17-18页 |
1.2.4 碳化硅陶瓷膜的研究现状 | 第18-19页 |
1.3 碳化硅陶瓷浆料研究 | 第19-22页 |
1.3.1 碳化硅陶瓷粉体分散方法 | 第19-20页 |
1.3.2 颗粒在介质中的分散稳定机制 | 第20-22页 |
1.4 浆料分散稳定性评价方法 | 第22-23页 |
1.4.1 流变法 | 第22页 |
1.4.2 沉降法 | 第22-23页 |
1.4.3 粘度法 | 第23页 |
1.5 本论文研究意义、目的及内容 | 第23-26页 |
1.5.1 研究意义和目的 | 第23页 |
1.5.2 研究内容 | 第23-26页 |
第2章 实验 | 第26-34页 |
2.1 实验原料及设备 | 第26-28页 |
2.1.1 实验原料 | 第26-28页 |
2.1.2 实验设备 | 第28页 |
2.2 实验方法 | 第28-29页 |
2.2.1 SiC浆料的制备 | 第28-29页 |
2.2.2 SiC陶瓷膜的制备 | 第29页 |
2.3 测试与表征 | 第29-34页 |
2.3.1 粒度分布 | 第30页 |
2.3.2 粘度 | 第30页 |
2.3.3 沉降高度和沉降速率 | 第30页 |
2.3.4 透过率 | 第30页 |
2.3.5 Zeta电位 | 第30-31页 |
2.3.6 物相分析 | 第31页 |
2.3.7 形貌分析 | 第31页 |
2.3.8 孔径分布 | 第31页 |
2.3.9 纯水通量 | 第31-34页 |
第3章 碳化硅浆料的分散性、稳定性研究 | 第34-62页 |
3.1 引言 | 第34页 |
3.2 球磨时间对浆料性能的影响 | 第34-36页 |
3.3 pH对 SiC浆料性能影响 | 第36-41页 |
3.3.1 pH对浆料Zeta电位的影响 | 第36-38页 |
3.3.2 pH对浆料粘度的影响 | 第38-39页 |
3.3.3 pH对浆料沉降的影响 | 第39-40页 |
3.3.4 pH对浆料透光率的影响 | 第40-41页 |
3.4 TMAH对浆料性能的影响 | 第41-46页 |
3.4.1 TMAH对浆料粘度的影响 | 第41-43页 |
3.4.2 TMAH对浆料Zeta电位的影响 | 第43-44页 |
3.4.3 TMAH对浆料沉降的影响 | 第44页 |
3.4.4 TMAH对浆料透光率的影响 | 第44-45页 |
3.4.5 TMAH对浆料影响机理 | 第45-46页 |
3.5 CMC-Na对浆料性能的影响 | 第46-49页 |
3.5.1 CMC-Na对浆料粘度的影响 | 第46-47页 |
3.5.2 CMC-Na对浆料沉降的影响 | 第47-48页 |
3.5.3 CMC-Na对浆料透光率的影响 | 第48-49页 |
3.6 固含量对浆料的影响 | 第49-52页 |
3.6.1 固含量对浆料粘度的影响 | 第50-51页 |
3.6.2 固含量对浆料沉降高度的影响 | 第51-52页 |
3.7 颗粒级配对浆料的影响 | 第52-53页 |
3.8 正交实验设计 | 第53-55页 |
3.9 正交实验结果与分析 | 第55-60页 |
3.9.1 各因素对浆料粘度影响 | 第55-56页 |
3.9.2 各因素对浆料沉降高度影响 | 第56-57页 |
3.9.3 各因素对SiC陶瓷膜孔径影响 | 第57-59页 |
3.9.4 优选方案确定与验证 | 第59-60页 |
3.10 本章小结 | 第60-62页 |
第4章 碳化硅陶瓷膜研究 | 第62-82页 |
4.1 引言 | 第62页 |
4.2 一次涂膜 | 第62-73页 |
4.2.1 颗粒级配对陶瓷膜的影响 | 第63-64页 |
4.2.2 固含量对陶瓷膜的影响 | 第64-66页 |
4.2.3 烧结温度对陶瓷膜的影响 | 第66-70页 |
4.2.4 涂膜方式对陶瓷膜的影响 | 第70-73页 |
4.3 二次涂膜 | 第73-79页 |
4.3.1 颗粒级配对陶瓷膜影响 | 第74-75页 |
4.3.2 烧结温度对陶瓷膜的影响 | 第75-79页 |
4.4 本章小结 | 第79-82页 |
第5章 结论 | 第82-84页 |
参考文献 | 第84-90页 |
攻读硕士期间研究成果 | 第90-92页 |
致谢 | 第92页 |