| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 硅探测器的工作原理 | 第9-10页 |
| 1.3 硅探测器的发展历史与国内外研究现状 | 第10-15页 |
| 1.3.1 硅探测器的发展历史 | 第10-15页 |
| 1.3.2 硅探测器的国内外研究现状 | 第15页 |
| 1.4 选题依据及研究内容 | 第15-17页 |
| 第2章 TCAD仿真的物理模型与仿真程序 | 第17-24页 |
| 2.1 引言 | 第17页 |
| 2.2 基本半导体方程 | 第17-21页 |
| 2.2.1 泊松方程 | 第18页 |
| 2.2.2 电流连续方程 | 第18页 |
| 2.2.3 载流子方程 | 第18-21页 |
| 2.3 基本物理模型 | 第21-23页 |
| 2.3.1 SRH模型与俄歇复合模型 | 第21-22页 |
| 2.3.2 迁移率模型 | 第22-23页 |
| 2.4 本章小结 | 第23-24页 |
| 第3章 低死区复合结构壳型电极硅探测器的结构设计 | 第24-40页 |
| 3.1 引言 | 第24-25页 |
| 3.2 硅探测器的辐照损伤 | 第25-27页 |
| 3.2.1 辐照对漏电流的影响 | 第25页 |
| 3.2.2 辐照对电中性区的影响 | 第25-26页 |
| 3.2.3 辐照对空间电荷的影响 | 第26-27页 |
| 3.3 硅探测器的抗辐照加固 | 第27-28页 |
| 3.4 传统三维硅探测器的结构设计 | 第28-31页 |
| 3.5 低死区复合结构壳型电极硅探测器的几何模型 | 第31-33页 |
| 3.6 探测器p-n结位置的确定和基体材料的选择 | 第33-37页 |
| 3.6.1 探测器p-n结位置的选择 | 第33-36页 |
| 3.6.2 探测器硅体材料的选择 | 第36-37页 |
| 3.7 低死区复合结构壳型电极硅探测器的结构仿真 | 第37-39页 |
| 3.8 本章小节 | 第39-40页 |
| 第4章 低死区复合结构壳型电极硅探测器的电学性能研究 | 第40-62页 |
| 4.1 引言 | 第40-41页 |
| 4.2 低死区复合结构壳型电极硅探测器的电场电势及空穴浓度分布 | 第41-46页 |
| 4.2.1 传统三维沟槽电极硅探测器的电场分布 | 第41-43页 |
| 4.2.2 低死区复合结构壳型电极硅探测器的电场及电势分布 | 第43-45页 |
| 4.2.3 低死区复合结构壳型电极硅探测器的空穴浓度分布 | 第45-46页 |
| 4.3 漏电流与外加偏压的关系 | 第46-51页 |
| 4.3.1 无辐照时漏电流与外加偏压的关系 | 第46-49页 |
| 4.3.2 强辐照环境对漏电流的影响 | 第49-51页 |
| 4.4 电容与外加偏压的关系 | 第51-54页 |
| 4.5 电荷收集性能 | 第54-61页 |
| 4.5.1 Ramo理论推导及物理意义 | 第55-57页 |
| 4.5.2 电荷收集模型 | 第57-59页 |
| 4.5.3 电荷收集模拟仿真 | 第59-61页 |
| 4.6 本章小结 | 第61-62页 |
| 第5章 总结与展望 | 第62-64页 |
| 5.1 论文工作总结 | 第62-63页 |
| 5.2 工作展望 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 个人简历、在校期间发表的学术论文及研究成果 | 第71-72页 |
| 附录: Atlas仿真程序 | 第72-73页 |
