| 摘要 | 第5-8页 |
| Abstract | 第8-11页 |
| 第一章 绪论 | 第16-56页 |
| 1.1 阻变存储器件 | 第16-23页 |
| 1.1.1 阻变存储器件概述 | 第16-17页 |
| 1.1.2 阻变现象的描述和器件材料选择 | 第17-18页 |
| 1.1.3 二元金属氧化物基阻变器件的阻变机制 | 第18-21页 |
| 1.1.4 二元金属氧化物基阻变器件导电机制 | 第21-23页 |
| 1.2 阻变器件的应用 | 第23-27页 |
| 1.2.1 阻变式随机存储器 | 第23页 |
| 1.2.2 逻辑运算 | 第23-25页 |
| 1.2.3 神经突触可塑性仿生模拟 | 第25-27页 |
| 1.3 电荷俘获存储器件 | 第27-29页 |
| 1.4 视网膜的基本结构 | 第29-30页 |
| 1.5 光控存储器件 | 第30-37页 |
| 1.5.1 光控阻变存储器件的分类 | 第30-36页 |
| 1.5.2 光控电荷存储器件的概述 | 第36-37页 |
| 1.6 光控存储器件的机遇和挑战 | 第37-41页 |
| 参考文献 | 第41-56页 |
| 第二章 仿视网膜结构的光控阻变器件的制备 | 第56-70页 |
| 2.1 仿视网膜器件结构单元的制备 | 第56-60页 |
| 2.2 器件制备工艺 | 第60-66页 |
| 2.2.1 聚焦离子束(Focused ion beam,FIB) | 第60-61页 |
| 2.2.2 无掩膜紫外光刻技术 | 第61-63页 |
| 2.2.3 原子层沉积系统 | 第63-65页 |
| 2.2.4 磁控溅射系统 | 第65-66页 |
| 2.3 器件光电性能测试平台介绍 | 第66-67页 |
| 2.4 本章小结 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-70页 |
| 第三章 光控阻变器件及其性能研究 | 第70-88页 |
| 3.1 p-Si/HfO_2/Pt光控阻变器件及其性能表征 | 第70-74页 |
| 3.1.1 p-Si/HfO_2/Pt光控阻变效应 | 第70-72页 |
| 3.1.2 p-Si/HfO_2/Pt光控阻变器件的开关速度 | 第72-73页 |
| 3.1.3 p-Si/HfO_2/Pt光控阻变器件的疲劳、保持和一致性 | 第73-74页 |
| 3.2 p-Si/HfO_2/Pt器件的光控阻变机制探索 | 第74-78页 |
| 3.3 p-Si/HfO_2/Pt光控阻变器件导电机制的研究 | 第78-79页 |
| 3.4 光控阻变性能影响因素 | 第79-83页 |
| 3.4.1 ALD生长氧源的影响 | 第80-82页 |
| 3.4.2 电极尺寸大小的影响 | 第82-83页 |
| 3.5 本章小结 | 第83-85页 |
| 参考文献 | 第85-88页 |
| 第四章 利用p-Si/HfO_2/Pt光电开关执行光控状态逻辑运算 | 第88-104页 |
| 4.1 p-Si/HfO_2/Pt光电器件的I-V特性 | 第88-89页 |
| 4.2 实质蕴涵逻辑运算 | 第89-96页 |
| 4.2.1 实质蕴涵逻辑电路 | 第89-91页 |
| 4.2.2 光电开关A和B上的压降理论计算以及R_0的选取 | 第91-93页 |
| 4.2.3 p-Si/HfO_2/Pt光电开关执行光控IMP逻辑 | 第93-96页 |
| 4.3 基于光控IMP逻辑的光控NAND、光控NOR、光控OR等逻辑运算 | 第96-101页 |
| 4.3.1 光控NAND逻辑运算 | 第96-98页 |
| 4.3.2 光控OR逻辑运算 | 第98-99页 |
| 4.3.3 光电NOR逻辑运算 | 第99-101页 |
| 4.4 本章小结 | 第101-103页 |
| 参考文献 | 第103-104页 |
| 第五章 光电突触的可塑性模拟 | 第104-116页 |
| 5.1 神经突触仿生模拟 | 第104-108页 |
| 5.1.1 光照下的非线性传输特性的模拟 | 第104-105页 |
| 5.1.2 神经突触的光电可塑性模拟 | 第105-108页 |
| 5.2 多态以及可调节的光响应 | 第108-113页 |
| 5.2.1 不同条件调制后输出的光电流 | 第108-110页 |
| 5.2.2 可调节的响应度 | 第110-111页 |
| 5.2.3 可调节的响应时间 | 第111-113页 |
| 5.3 本章小结 | 第113-114页 |
| 参考文献 | 第114-116页 |
| 第六章 CuO_x纳米晶电荷存储器件中光控存储性能的研究 | 第116-126页 |
| 6.1 CuO_x纳米晶电荷存储器件的制备 | 第116-118页 |
| 6.2 CuO_x纳米晶的物性表征 | 第118-119页 |
| 6.3 光照对电荷存储器件性能的影响 | 第119-124页 |
| 6.3.1 光照对电荷存储密度的影响 | 第119-121页 |
| 6.3.2 光照对写入/擦除速度的影响 | 第121-122页 |
| 6.3.3 光照对器件抗疲劳特性的影响 | 第122-123页 |
| 6.3.4 光照对器件保持性能的影响 | 第123-124页 |
| 6.4 本章小结 | 第124-125页 |
| 参考文献 | 第125-126页 |
| 第七章 结论与展望 | 第126-130页 |
| 7.1 结论 | 第126-128页 |
| 7.2 展望 | 第128-130页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文 | 第130-132页 |
| 致谢 | 第132-133页 |
