| 摘要 | 第3-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第14-36页 |
| 1.1 二维材料简介 | 第14-18页 |
| 1.2 二维材料的光电性能调控 | 第18-22页 |
| 1.3 二维材料的应用 | 第22-25页 |
| 1.4 本论文研究的目的和内容 | 第25-27页 |
| 参考文献 | 第27-36页 |
| 第二章 单轴拉应力对单层MOS_2能带漂移的影响 | 第36-56页 |
| 2.1 引言 | 第36-37页 |
| 2.2 理论模型 | 第37-43页 |
| 2.2.1 键弛豫理论 | 第38-41页 |
| 2.2.2 单轴拉伸应力下的带隙漂移 | 第41-43页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第43-49页 |
| 2.4 小结 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-56页 |
| 第三章 MoS_2/WSe_2能级排列和光电性质的尺寸效应 | 第56-78页 |
| 3.1 引言 | 第56-58页 |
| 3.2 理论模型 | 第58-64页 |
| 3.2.1 Shockley-Queisser极限 | 第58-60页 |
| 3.2.2 能带漂移和能级排列 | 第60-62页 |
| 3.2.3 MoS_2/WSe_2的光电性质 | 第62-64页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第64-70页 |
| 3.4 小结 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-78页 |
| 第四章 界面转角对双层MoS_2体系能带的影响 | 第78-94页 |
| 4.1 引言 | 第78-80页 |
| 4.2 界面转角与带隙的关系 | 第80-83页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第83-88页 |
| 4.4 小结 | 第88-89页 |
| 参考文献 | 第89-94页 |
| 第五章 过渡金属硫族化合物带隙的尺寸和组分调控 | 第94-112页 |
| 5.1 引言 | 第94-95页 |
| 5.2 尺寸和组分依赖的带隙漂移 | 第95-98页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第98-105页 |
| 5.4 小结 | 第105-106页 |
| 参考文献 | 第106-112页 |
| 第六章 总结和展望 | 第112-116页 |
| 6.1 总结 | 第112-113页 |
| 6.2 展望 | 第113-116页 |
| 攻读博士学位期间完成的论文及获奖情况 | 第116-118页 |
| 致谢 | 第118-119页 |