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一种高性能GaN功率整流器研究

摘要第5-6页
ABSTRACT第6-7页
第一章 绪论第10-16页
    1.1 研究背景第10-12页
    1.2 GaN功率器件的国内外发展现状第12-14页
    1.3 本文的架构和研究内容第14-16页
第二章 AlGaN/GaN功率器件的工作原理与研制第16-29页
    2.1 AlGaN/GaN功率器件的工作原理第16-21页
        2.1.1 AlGaN/GaN异质结的自发极化和压电极化第16-18页
        2.1.2 二维电子气(2DEG)的来源第18-20页
        2.1.3 AlGaN/GaN功率器件的工作原理第20-21页
    2.2 AlGaN/GaN功率器件的研制第21-27页
        2.2.1 器件表面钝化第21-23页
        2.2.2 有源区隔离第23-24页
        2.2.3 欧姆接触第24页
        2.2.4 刻蚀凹槽第24-26页
        2.2.5 淀积栅介质第26-27页
        2.2.6 肖特基金属第27页
    2.3 本章小结第27-29页
第三章 具有结终端混合阳极的GaN功率整流器第29-47页
    3.1 具有结终端混合阳极的GaN功率整流器(ETH-Rectifier)第30-33页
        3.1.1 势垒层厚度对AlGaN/GaN异质结的能带调制作用第30-31页
        3.1.2 结终端(ET)理念第31页
        3.1.3 ETH-Rectifier的提出第31-32页
        3.1.4 ETH-Rectifier的结构和工作原理第32-33页
    3.2 ETH-Rectifier的特性分析第33-37页
        3.2.1 ETH-Rectifier的正向特性第33-35页
        3.2.2 ETH-Rectifier的反向特性第35-37页
    3.3 具有场板结构的ETH-Rectifier研究第37-45页
        3.3.1 场板理论第37-39页
        3.3.2 带场板的ETH-Rectifier的反向特性第39-41页
        3.3.3 ETH-Rectifier结终端与场板的优化仿真第41-45页
    3.4 ETH-Rectifier的可靠性分析第45-46页
    3.5 本章小结第46-47页
第四章 ETH-Rectifier优化结构(MG-HAR)的研制及特性分析第47-66页
    4.1 MIS栅混合阳极整流器(MG-HAR)第47-51页
        4.1.1 MG-HAR的结构和研制第48-50页
        4.1.2 MG-HAR的工作原理第50-51页
    4.2 MG-HAR的测试分析第51-56页
        4.2.1 MG-HAR的正向特性第51-53页
        4.2.2 MG-HAR的反向特性第53-55页
        4.2.3 仿真与测试结果的对比第55-56页
    4.3 MG-HAR与国内外报告的整流器性能对比第56-65页
    4.4 本章小结第65-66页
第五章 结论第66-68页
    5.1 本文的主要工作第66-67页
    5.2 下一步工作展望第67-68页
致谢第68-69页
参考文献第69-76页
攻读硕士学位期间取得的研究成果第76-77页

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