| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 研究背景 | 第10-12页 |
| 1.2 GaN功率器件的国内外发展现状 | 第12-14页 |
| 1.3 本文的架构和研究内容 | 第14-16页 |
| 第二章 AlGaN/GaN功率器件的工作原理与研制 | 第16-29页 |
| 2.1 AlGaN/GaN功率器件的工作原理 | 第16-21页 |
| 2.1.1 AlGaN/GaN异质结的自发极化和压电极化 | 第16-18页 |
| 2.1.2 二维电子气(2DEG)的来源 | 第18-20页 |
| 2.1.3 AlGaN/GaN功率器件的工作原理 | 第20-21页 |
| 2.2 AlGaN/GaN功率器件的研制 | 第21-27页 |
| 2.2.1 器件表面钝化 | 第21-23页 |
| 2.2.2 有源区隔离 | 第23-24页 |
| 2.2.3 欧姆接触 | 第24页 |
| 2.2.4 刻蚀凹槽 | 第24-26页 |
| 2.2.5 淀积栅介质 | 第26-27页 |
| 2.2.6 肖特基金属 | 第27页 |
| 2.3 本章小结 | 第27-29页 |
| 第三章 具有结终端混合阳极的GaN功率整流器 | 第29-47页 |
| 3.1 具有结终端混合阳极的GaN功率整流器(ETH-Rectifier) | 第30-33页 |
| 3.1.1 势垒层厚度对AlGaN/GaN异质结的能带调制作用 | 第30-31页 |
| 3.1.2 结终端(ET)理念 | 第31页 |
| 3.1.3 ETH-Rectifier的提出 | 第31-32页 |
| 3.1.4 ETH-Rectifier的结构和工作原理 | 第32-33页 |
| 3.2 ETH-Rectifier的特性分析 | 第33-37页 |
| 3.2.1 ETH-Rectifier的正向特性 | 第33-35页 |
| 3.2.2 ETH-Rectifier的反向特性 | 第35-37页 |
| 3.3 具有场板结构的ETH-Rectifier研究 | 第37-45页 |
| 3.3.1 场板理论 | 第37-39页 |
| 3.3.2 带场板的ETH-Rectifier的反向特性 | 第39-41页 |
| 3.3.3 ETH-Rectifier结终端与场板的优化仿真 | 第41-45页 |
| 3.4 ETH-Rectifier的可靠性分析 | 第45-46页 |
| 3.5 本章小结 | 第46-47页 |
| 第四章 ETH-Rectifier优化结构(MG-HAR)的研制及特性分析 | 第47-66页 |
| 4.1 MIS栅混合阳极整流器(MG-HAR) | 第47-51页 |
| 4.1.1 MG-HAR的结构和研制 | 第48-50页 |
| 4.1.2 MG-HAR的工作原理 | 第50-51页 |
| 4.2 MG-HAR的测试分析 | 第51-56页 |
| 4.2.1 MG-HAR的正向特性 | 第51-53页 |
| 4.2.2 MG-HAR的反向特性 | 第53-55页 |
| 4.2.3 仿真与测试结果的对比 | 第55-56页 |
| 4.3 MG-HAR与国内外报告的整流器性能对比 | 第56-65页 |
| 4.4 本章小结 | 第65-66页 |
| 第五章 结论 | 第66-68页 |
| 5.1 本文的主要工作 | 第66-67页 |
| 5.2 下一步工作展望 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-76页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第76-77页 |
