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GaSb基Ⅱ类超晶格双色红外探测器研究

摘要第4-6页
Abstract第6-7页
目录第8-11页
第1章 绪论第11-21页
    1.1 前言第11-16页
        1.1.1 红外探测器分类第12-14页
        1.1.2 红外探测器发展现状第14-15页
        1.1.3 红外探测器应用第15-16页
    1.2 GaSb 基Ⅱ类超晶格红外探测器第16-20页
        1.2.1 GaSb 基Ⅱ类超晶格材料优势第16-17页
        1.2.2 常见 GaSb 基Ⅱ类超晶格红外探测器第17-20页
    1.3 本论文的主要工作第20-21页
第2章 GaSb 基Ⅱ类超晶格红外探测器的结构与工作原理第21-33页
    2.1 光电探测器的特性参数第21-25页
        2.1.1 量子效率第21-22页
        2.1.2 响应度第22页
        2.1.3 噪声等效功率第22-23页
        2.1.4 探测率第23-24页
        2.1.5 光谱响应第24-25页
    2.2 光伏探测器的物理基础第25-27页
        2.2.2 光伏探测器的工作原理第25-26页
        2.2.3 光伏探测器的等效电路第26页
        2.2.4 光伏探测器的噪声第26-27页
    2.3 InAs/GaSb 超晶格第27-31页
        2.3.1 超晶格材料第27-29页
        2.3.2 InAs/GaSbⅡ类超晶格第29-31页
    2.4 本章小结第31-33页
第3章 InAs/GaSbⅡ类超晶格双色红外探测器结构设计与版图优化第33-45页
    3.1 器件结构第33-36页
        3.1.1 设计原则第33-35页
        3.1.3 工作原理第35-36页
    3.2 双色探测器版图优化第36-42页
        3.2.1 面积优化第37页
        3.2.2 电极优化第37-39页
        3.2.4 多功能膜优化第39-41页
        3.2.5 对版标记优化第41-42页
        3.2.6 多用途优化第42页
    3.3 本章小结第42-45页
第4章 InAs/GaSbⅡ类超晶格双色红外探测器工艺制备第45-67页
    4.1 工艺流程第45-49页
    4.2 光刻第49-55页
        4.2.1 曝光前工艺第50-52页
        4.2.2 对准及曝光第52-54页
        4.2.5 曝光后工艺第54-55页
    4.3 刻蚀第55-59页
        4.3.1 湿法刻蚀与干法刻蚀第55-56页
        4.3.2 ICP 干法刻蚀第56-59页
    4.4 钝化第59-63页
        4.4.1 钝化层材料第59-61页
        4.4.2 钝化层厚度第61-63页
    4.5 电极第63-65页
        4.5.1 光刻第63-64页
        4.5.2 溅射第64-65页
        4.5.3 剥离第65页
        4.5.4 退火第65页
    4.6 本章小结第65-67页
第5章 材料分析技术与器件光电测试第67-75页
    5.1 分光光度计第67-68页
    5.2 傅里叶红外光谱仪第68-69页
    5.3 暗电流特性第69-71页
    5.4 黑体探测率第71-73页
    5.5 光谱响应第73页
    5.6 本章小结第73-75页
结论第75-77页
参考文献第77-81页
攻读硕士学位期间发表的论文第81-83页
致谢第83页

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