| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 目录 | 第8-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 前言 | 第11-16页 |
| 1.1.1 红外探测器分类 | 第12-14页 |
| 1.1.2 红外探测器发展现状 | 第14-15页 |
| 1.1.3 红外探测器应用 | 第15-16页 |
| 1.2 GaSb 基Ⅱ类超晶格红外探测器 | 第16-20页 |
| 1.2.1 GaSb 基Ⅱ类超晶格材料优势 | 第16-17页 |
| 1.2.2 常见 GaSb 基Ⅱ类超晶格红外探测器 | 第17-20页 |
| 1.3 本论文的主要工作 | 第20-21页 |
| 第2章 GaSb 基Ⅱ类超晶格红外探测器的结构与工作原理 | 第21-33页 |
| 2.1 光电探测器的特性参数 | 第21-25页 |
| 2.1.1 量子效率 | 第21-22页 |
| 2.1.2 响应度 | 第22页 |
| 2.1.3 噪声等效功率 | 第22-23页 |
| 2.1.4 探测率 | 第23-24页 |
| 2.1.5 光谱响应 | 第24-25页 |
| 2.2 光伏探测器的物理基础 | 第25-27页 |
| 2.2.2 光伏探测器的工作原理 | 第25-26页 |
| 2.2.3 光伏探测器的等效电路 | 第26页 |
| 2.2.4 光伏探测器的噪声 | 第26-27页 |
| 2.3 InAs/GaSb 超晶格 | 第27-31页 |
| 2.3.1 超晶格材料 | 第27-29页 |
| 2.3.2 InAs/GaSbⅡ类超晶格 | 第29-31页 |
| 2.4 本章小结 | 第31-33页 |
| 第3章 InAs/GaSbⅡ类超晶格双色红外探测器结构设计与版图优化 | 第33-45页 |
| 3.1 器件结构 | 第33-36页 |
| 3.1.1 设计原则 | 第33-35页 |
| 3.1.3 工作原理 | 第35-36页 |
| 3.2 双色探测器版图优化 | 第36-42页 |
| 3.2.1 面积优化 | 第37页 |
| 3.2.2 电极优化 | 第37-39页 |
| 3.2.4 多功能膜优化 | 第39-41页 |
| 3.2.5 对版标记优化 | 第41-42页 |
| 3.2.6 多用途优化 | 第42页 |
| 3.3 本章小结 | 第42-45页 |
| 第4章 InAs/GaSbⅡ类超晶格双色红外探测器工艺制备 | 第45-67页 |
| 4.1 工艺流程 | 第45-49页 |
| 4.2 光刻 | 第49-55页 |
| 4.2.1 曝光前工艺 | 第50-52页 |
| 4.2.2 对准及曝光 | 第52-54页 |
| 4.2.5 曝光后工艺 | 第54-55页 |
| 4.3 刻蚀 | 第55-59页 |
| 4.3.1 湿法刻蚀与干法刻蚀 | 第55-56页 |
| 4.3.2 ICP 干法刻蚀 | 第56-59页 |
| 4.4 钝化 | 第59-63页 |
| 4.4.1 钝化层材料 | 第59-61页 |
| 4.4.2 钝化层厚度 | 第61-63页 |
| 4.5 电极 | 第63-65页 |
| 4.5.1 光刻 | 第63-64页 |
| 4.5.2 溅射 | 第64-65页 |
| 4.5.3 剥离 | 第65页 |
| 4.5.4 退火 | 第65页 |
| 4.6 本章小结 | 第65-67页 |
| 第5章 材料分析技术与器件光电测试 | 第67-75页 |
| 5.1 分光光度计 | 第67-68页 |
| 5.2 傅里叶红外光谱仪 | 第68-69页 |
| 5.3 暗电流特性 | 第69-71页 |
| 5.4 黑体探测率 | 第71-73页 |
| 5.5 光谱响应 | 第73页 |
| 5.6 本章小结 | 第73-75页 |
| 结论 | 第75-77页 |
| 参考文献 | 第77-81页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第81-83页 |
| 致谢 | 第83页 |
