| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第17-33页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第17-20页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第20-29页 |
| 1.2.1 InSb红外探测器的研究现状 | 第20-25页 |
| 1.2.2 InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测器研究现状 | 第25-29页 |
| 1.3 本文结构与特色 | 第29-33页 |
| 1.3.1 主要研究内容 | 第29-30页 |
| 1.3.2 文章结构安排 | 第30-31页 |
| 1.3.3 特色与创新 | 第31-33页 |
| 第二章 锑基红外探测器 | 第33-53页 |
| 2.1 典型的锑基红外探测器 | 第33-38页 |
| 2.1.1 锑基化合物半导体 | 第33-34页 |
| 2.1.2 焦平面红外探测器典型结构 | 第34-38页 |
| 2.2 InSb光伏型红外探测器 | 第38-41页 |
| 2.2.1 工作原理 | 第38-41页 |
| 2.2.2 InSb焦平面阵列典型结构 | 第41页 |
| 2.3 锑基Ⅱ类超晶格红外探测器 | 第41-47页 |
| 2.3.1 工作原理 | 第43-45页 |
| 2.3.2 典型结构 | 第45-47页 |
| 2.4 红外焦平面阵列光电特性分析 | 第47-50页 |
| 2.4.1 探测器的温度分辨率——噪声等效温差NETD | 第48页 |
| 2.4.2 探测器的灵敏度度量 | 第48-50页 |
| 2.4.3 探测器的实时响应特性——瞬态响应 | 第50页 |
| 2.5 本章小结 | 第50-53页 |
| 第三章 InSb光伏型红外探测器芯片的数值仿真 | 第53-65页 |
| 3.1 仿真方法与物理模型 | 第53-58页 |
| 3.1.1 InSb红外探测器芯片仿真技术的最新进展 | 第53-54页 |
| 3.1.2 InSb红外探测器芯片的仿真方法与物理模型 | 第54-58页 |
| 3.2 InSb光伏型红外探测器芯片的数值仿真 | 第58-64页 |
| 3.2.1 结构参数对探测器性能的影响 | 第59-61页 |
| 3.2.2 工艺参数对探测器性能的影响 | 第61-64页 |
| 3.3 本章小结 | 第64-65页 |
| 第四章 界面态对InSb光伏型红外探测器性能的影响 | 第65-87页 |
| 4.1 界面态陷阱对InSb焦平面阵列物理模型的修正 | 第65-69页 |
| 4.1.1 界面陷阱 | 第65-66页 |
| 4.1.2 界面陷阱对InSb芯片物理模型的修正 | 第66-69页 |
| 4.2 界面态对InSb光伏型红外探测器稳态响应的影响 | 第69-77页 |
| 4.2.1 界面陷阱对量子效率的影响 | 第72-76页 |
| 4.2.2 界面陷阱对串音的影响 | 第76-77页 |
| 4.3 界面态对InSb光伏型红外探测器瞬态响应的影响 | 第77-83页 |
| 4.4 InSb光伏型红外探测器暗电流分析 | 第83-85页 |
| 4.5 本章小结 | 第85-87页 |
| 第五章 锑基Ⅱ类超晶格红外探测器 | 第87-99页 |
| 5.1 实验设备 | 第87-89页 |
| 5.2 InAs/GaSbⅡ类超晶格材料生长 | 第89-90页 |
| 5.3 焦平面器件制作 | 第90-93页 |
| 5.3.1 超晶格短波焦平面阵列制备流程 | 第91-92页 |
| 5.3.2 超晶格短波焦平面阵列钝化工艺 | 第92-93页 |
| 5.4 性能分析 | 第93-96页 |
| 5.4.1 InAs/GaSbⅡ类超晶格材料性能分析 | 第93-96页 |
| 5.4.2 InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测器性能分析 | 第96页 |
| 5.5 本章小结 | 第96-99页 |
| 第六章 全文总结 | 第99-103页 |
| 6.1 工作总结 | 第99-100页 |
| 6.2 展望 | 第100-103页 |
| 参考文献 | 第103-113页 |
| 致谢 | 第113-115页 |
| 作者简介 | 第115-117页 |
