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基于SPM的纳米半导体结构的表征

致谢第5-6页
摘要第6-7页
ABSTRACT第7页
目录第8-10页
1. 引言第10-11页
2. 绪论第11-21页
    2.1 研究背景第11-12页
        2.1.1 红外探测器第11-12页
        2.1.2 纳米半导体结构的显微隧道(SPM)表征第12页
    2.2 红外探测器的发展第12-15页
    2.3 SPM技术的发展第15-20页
        2.3.1 AFM第15-17页
        2.3.2 SCM第17页
        2.3.3 SKM第17页
        2.3.4 SSRM第17-20页
    2.4 本论文的主要工作第20-21页
3. 红外探测器件的生长和常规表征第21-29页
    3.1 红外探测器材料的生长第21-23页
    3.2 XRD、SEM和Raman光谱测量等常规表征方法第23-29页
        3.2.1 双晶X射线衍射DCXRD第23-24页
        3.2.2 扫描电子显微镜SEM第24-26页
        3.2.3 拉曼散射光谱测量第26-27页
        3.2.4 透射电子显微镜TEM第27-29页
4. 量子点垂直腔面发射激光器横截面的SPM表征第29-45页
    4.1 实验仪器第29-32页
        4.1.1 实验仪器的概述第29-30页
        4.1.2 接触式模式的工作原理第30-32页
    4.2 量子点垂直腔面发射激光器横截面的AFM表征第32-45页
        4.2.1 InGaAs/GaAs量子点垂直腔面发射激光器材料的结构第32-33页
        4.2.2 测试样品的制备第33-34页
        4.2.3 针尖的选择第34-35页
        4.2.4 实验操作第35-38页
        4.2.5 测试结果与分析第38-45页
5. 红外探测材料结构的SPM表征第45-60页
    5.1 InGaAs/InAlAs量子级联样品的制备第45-47页
        5.1.1 InGaAs/InAlAs量子级联样品的结构第45-46页
        5.1.2 样品的制备第46-47页
        5.1.3 针尖的选择与实验操作第47页
    5.2 结果、讨论及改进第47-55页
        5.2.1 实验结果第47-52页
        5.2.2 讨论第52-53页
        5.2.3 实验改进及优化第53-55页
    5.3 改进后试验操作及结果第55-60页
        5.3.1 实验仪器配置第55-56页
        5.3.2 样品放置与欧姆接触第56页
        5.3.3 SSRM测试第56-57页
        5.3.4 SSRM结果第57-60页
6. 结论第60-61页
参考文献第61-64页
作者简历及攻读硕士期间取得的研究成果第64-66页
学位论文数据集第66页

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