| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 前言 | 第8-25页 |
| 1.1 研究背景 | 第8页 |
| 1.2 正常霍尔效应 | 第8-9页 |
| 1.3 反常霍尔效应 | 第9-10页 |
| 1.4 反常霍尔效应理论机制 | 第10-20页 |
| 1.4.1 K-L 理论 | 第11-12页 |
| 1.4.2 斜散射理论 (Skew Scattering) | 第12-13页 |
| 1.4.3 边跳散射机制 (Side Jump) | 第13-14页 |
| 1.4.4 Berry 相理论 | 第14-15页 |
| 1.4.5 平均自由程理论 | 第15-17页 |
| 1.4.6 颗粒膜中的AHE理论 | 第17-20页 |
| 1.5 量子效应和 AHE 的关系 | 第20-24页 |
| 1.5.1 弱局域效应 | 第20-21页 |
| 1.5.2 量子效应对 AHE 的修正 | 第21-24页 |
| 1.6 本论文的选题及主要工作 | 第24-25页 |
| 第二章 样品制备与表征 | 第25-34页 |
| 2.1 Ni-SiO_2颗粒膜的制备 | 第25-27页 |
| 2.1.1 磁控溅射沉积系统的基本原理 | 第25-26页 |
| 2.1.2 样品制备过程 | 第26-27页 |
| 2.2 台阶仪测量膜厚 | 第27页 |
| 2.3 电子能谱分析 | 第27-28页 |
| 2.4 透射电子显微镜 | 第28-30页 |
| 2.5 选区电子衍射 | 第30-31页 |
| 2.6 物理性质测量系统 | 第31-32页 |
| 2.7 霍尔电阻率的测量 | 第32-33页 |
| 2.8 磁性测量系统 | 第33-34页 |
| 第三章 Ni-SiO_2颗粒膜中的电子输运性质 | 第34-49页 |
| 3.1 金属体积分数的确定 | 第34-36页 |
| 3.2 Ni-SiO_2薄膜的微观结构 | 第36-38页 |
| 3.3 Ni-SiO_2颗粒膜中的电子输运性质研究 | 第38-42页 |
| 3.3.1 电阻率的测量结果及分析 | 第38-40页 |
| 3.3.2 霍尔效应的测量结果及分析 | 第40-42页 |
| 3.4 巨霍尔效应 | 第42-44页 |
| 3.5 AH 电阻率和纵向电阻率的标度关系 | 第44-47页 |
| 3.6 本章小结 | 第47-49页 |
| 第四章 Ni 薄膜中的电子输运性质 | 第49-60页 |
| 4.1 样品制备 | 第49-50页 |
| 4.2 Ni 薄膜的电阻率测量及分析 | 第50-54页 |
| 4.3 弱局域对 AHE 的修正 | 第54-58页 |
| 4.4 AH 电导率和纵向电导率的标度关系 | 第58-59页 |
| 4.5 本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 结论 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-67页 |
| 硕士期间已发表和已完成的论文 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68页 |