| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 1 绪论 | 第7-14页 |
| ·氧化钒研究概况 | 第7-8页 |
| ·氧化钒薄膜的应用 | 第8-10页 |
| ·VO_2薄膜的应用 | 第8-9页 |
| ·V_2O_5薄膜的应用 | 第9-10页 |
| ·氧化钒几种制备方法介绍与比较 | 第10-12页 |
| ·真空蒸发镀膜法 | 第10-11页 |
| ·溅射镀膜法 | 第11页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第11页 |
| ·脉冲激光沉积法(PLD) | 第11-12页 |
| ·金属有机化合物化学气相沉积法(MOCVD) | 第12页 |
| ·离子镀膜法 | 第12页 |
| ·论文研究主要内容及意义 | 第12-13页 |
| ·论文的主要内容 | 第12-13页 |
| ·论文研究意义 | 第13页 |
| ·小结 | 第13-14页 |
| 2 氧化钒的性质及氧化钒薄膜研究概述 | 第14-23页 |
| ·氧化钒的晶体结构 | 第14-16页 |
| ·五氧化二钒(V_2O_5) | 第14-15页 |
| ·二氧化钒(VO_2) | 第15-16页 |
| ·二氧化钒的特性 | 第16-19页 |
| ·VO_2的相变特性 | 第16-17页 |
| ·VO_2的相变原理 | 第17-18页 |
| ·五氧化二钒(V_2O_5)与三氧化二钒(V_2O_3)的相变特性 | 第18-19页 |
| ·氧化钒薄膜的表征方法 | 第19-22页 |
| ·X射线的衍射仪(XRD) | 第19页 |
| ·X射线光电子能谱仪(XPS) | 第19-21页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第21-22页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第22页 |
| ·小结 | 第22-23页 |
| 3 氧化钒薄膜的磁控溅射制备及性能优化研究 | 第23-41页 |
| ·磁控溅射原理 | 第23-25页 |
| ·工艺参数对氧化钒薄膜沉积速率影响的实验设计 | 第25-28页 |
| ·实验设备 | 第25-26页 |
| ·样品制备 | 第26页 |
| ·实验过程 | 第26-27页 |
| ·测量结果及分析 | 第27-28页 |
| ·氩氧流量比及溅射功率对氧化钒薄膜沉积速率单因素实验 | 第28-32页 |
| ·实验过程 | 第28-29页 |
| ·实验结果及分析 | 第29-32页 |
| ·氧化钒电阻温度系数的研究 | 第32-41页 |
| ·实验过程 | 第32-33页 |
| ·实验结果及分析 | 第33-38页 |
| ·氧化钒薄膜的XPS分析 | 第38-39页 |
| ·小结 | 第39-41页 |
| 4 射频磁控溅射法制备氧化钒薄膜工艺 | 第41-49页 |
| ·射频磁控溅射原理 | 第41-42页 |
| ·实验过程 | 第42页 |
| ·实验结果及分析 | 第42-45页 |
| ·氧气流量对薄膜电阻温度系数的影响 | 第42-44页 |
| ·功率对氧化钒薄膜电阻及温度系数的影响 | 第44-45页 |
| ·膜的XPS分析 | 第45-48页 |
| ·结论 | 第48-49页 |
| 5 热处理对薄膜性能的影响 | 第49-52页 |
| ·退火温度对薄膜性能的影响 | 第49-50页 |
| ·退火时间对薄膜性能的影响 | 第50-51页 |
| ·小结 | 第51-52页 |
| 6 结论 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-57页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-60页 |