SiCOI器件结构的研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| ·SiC 材料发展现状 | 第7-11页 |
| ·SiCOI MESFET 的研究意义 | 第11-12页 |
| ·国内外研究进展 | 第12-14页 |
| ·本文的主要内容 | 第14-15页 |
| 第二章 器件结构的建立与物理模型选取 | 第15-26页 |
| ·结构模型的建立 | 第15-18页 |
| ·器件结构的建立 | 第15-16页 |
| ·结构参数的选取 | 第16-18页 |
| ·物理模型的选取 | 第18-25页 |
| ·软件介绍 | 第18-19页 |
| ·物理模型选取 | 第19-23页 |
| ·复合模型 | 第20页 |
| ·能带模型 | 第20-21页 |
| ·迁移率模型 | 第21-22页 |
| ·不完全电离模型 | 第22-23页 |
| ·参数修改 | 第23-25页 |
| ·本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章SiCOI 器件的转移特性分析 | 第26-35页 |
| ·SiCOI 器件转移特性分析 | 第26-28页 |
| ·有源层厚度对阈值电压的影响 | 第28-29页 |
| ·门极栅长对阈值电压的影响 | 第29-31页 |
| ·有源层掺杂浓度对阈值电压的影响 | 第31-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 第四章SiCOI 器件的输出特性和击穿特性分析 | 第35-43页 |
| ·SiCOI 器件输出特性分析 | 第35-40页 |
| ·有源层掺杂浓度对输出特性的影响 | 第37-38页 |
| ·有源层厚度对输出特性的影响 | 第38-39页 |
| ·门极栅长对输出特性的影响 | 第39-40页 |
| ·SiCOI 器件击穿特性分析 | 第40-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 第五章 SiCOI 器件的温度特性 | 第43-54页 |
| ·SiCOI 器件温度特性分析 | 第43-45页 |
| ·不同温度对器件阈值电压分析 | 第45-49页 |
| ·有源层掺杂浓度及环境温度变化对器件性能影响 | 第45-46页 |
| ·有源层厚度及环境温度变化对器件性能影响 | 第46-47页 |
| ·门极栅长及环境温度变化对器件性能影响 | 第47-49页 |
| ·不同温度对器件输出特性影响 | 第49-53页 |
| ·有源层掺杂浓度及环境温度对输出特性的影响 | 第49-50页 |
| ·有源层厚度及环境温度对输出特性的影响 | 第50-52页 |
| ·门极栅长及环境温度对输出特性的影响 | 第52-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第六章 结论 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 发表论文情况 | 第60-61页 |
