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纳米异质结电子结构特性的第一性原理研究

摘要第6-8页
Abstract第8-10页
第一章 绪论第13-37页
    1.1 纳米材料研究热潮第13-14页
    1.2 Ⅲ-Ⅴ族纳米线异质结的研究进展第14-20页
        1.2.1 纳米线的制备与应用第15-18页
        1.2.2 GaAs/InAs核壳异质结纳米线的研究进展第18-20页
    1.3 二维材料的研究进展第20-25页
        1.3.1 石墨烯掀起的研究热潮第21-23页
        1.3.2 MoS_2及其类材料研究进展第23-25页
    1.4 低维纳米异质结材料对理论研究的需求第25-27页
    1.5 本论文的主要研究内容第27-28页
    参考文献第28-37页
第二章 理论计算方法概述第37-49页
    2.1 薛定谔方程第37-38页
    2.2 密度泛函理论—从波函数到电荷密度第38-42页
        2.2.1 绝热近似第39页
        2.2.2 Hartree-Fock近似第39-40页
        2.2.3 Hohenberg-Kohn定理第40-41页
        2.2.4 Kohn-Sham方程第41-42页
    2.3 交换关联泛函第42-44页
        2.3.1 局域密度近似第43-44页
        2.3.2 广义梯度近似第44页
    2.4 材料科学中密度泛函理论的应用第44-47页
        2.4.1 第一性原理(The First Principles)第45-46页
        2.4.2 第一性原理计算软件简介第46-47页
    参考文献第47-49页
第三章 GaAs/InAs核壳纳米线带隙的调控第49-61页
    3.1 引言第49-50页
    3.2 计算方法和模型第50-51页
    3.3 结果与讨论第51-57页
        3.3.1 几何尺寸和化学组分对带隙的影响第51-52页
        3.3.2 单轴应变对带隙的影响第52-57页
    3.4 小结第57页
    参考文献第57-61页
第四章 GaAs/InAs核壳纳米线的有效p型掺杂第61-73页
    4.1 引言第61-62页
    4.2 计算方法和模型第62-64页
    4.3 计算结果与讨论第64-69页
        4.3.1 闪锌矿GaAs/InAs核壳纳米线的有效掺杂第64-66页
        4.3.2 纤锌矿GaAs/InAs核壳纳米线的有效p型掺杂第66-69页
    4.4 本章小结第69页
    参考文献第69-73页
第五章 带有表面悬挂键GaAs/InAs核壳纳米线的有效p型掺杂第73-88页
    5.1 引言第73-75页
    5.2 计算方法与模型第75-78页
    5.3 计算结果与讨论第78-83页
        5.3.1 WZ和ZB结构GaAs/InAs核壳纳米线表面悬挂键与掺杂位置的关系第78-81页
        5.3.2 悬挂键近邻p-型掺杂失效机制分析第81-83页
    5.4 本章小结第83-84页
    参考文献第84-88页
第六章 电荷注入和应变对Fe/MoS_2异质结磁各向异性能的调制第88-102页
    6.1 引言第88-90页
    6.2 计算方法和模型第90页
    6.3 结果讨论与分析第90-97页
        6.3.1 Fe自旋注入对Fe/MoS_2的磁性影响第90-93页
        6.3.2 双轴应变对Fe/MoS_2磁各向异性能的调制第93-97页
    6.4 本章小结第97-98页
    参考文献第98-102页
第七章 电荷注入对磁性元素掺杂MoS_2及其MoS_2/WS_2异质结磁学性质的影响第102-116页
    7.1 引言第102-104页
    7.2 计算方法和模型第104-105页
    7.3 结果讨论与分析第105-111页
        7.3.1 过渡金属在单层MoS_2及其异质结中的掺杂第105-106页
        7.3.2 电荷注入对单层MoS_2掺杂体系的影响第106-108页
        7.3.3 电荷注入对MoS_2/WS_2掺杂异质结磁性影响第108-111页
    7.4 本章小结第111页
    参考文献第111-116页
第八章 结论及展望第116-120页
    8.1 结论第116-118页
    8.2 论文创新第118-119页
    8.3 后续展望第119-120页
作者简历及在攻读博士学位期间研究成果第120-122页
致谢第122-123页

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