摘要 | 第6-8页 |
Abstract | 第8-10页 |
第一章 绪论 | 第13-37页 |
1.1 纳米材料研究热潮 | 第13-14页 |
1.2 Ⅲ-Ⅴ族纳米线异质结的研究进展 | 第14-20页 |
1.2.1 纳米线的制备与应用 | 第15-18页 |
1.2.2 GaAs/InAs核壳异质结纳米线的研究进展 | 第18-20页 |
1.3 二维材料的研究进展 | 第20-25页 |
1.3.1 石墨烯掀起的研究热潮 | 第21-23页 |
1.3.2 MoS_2及其类材料研究进展 | 第23-25页 |
1.4 低维纳米异质结材料对理论研究的需求 | 第25-27页 |
1.5 本论文的主要研究内容 | 第27-28页 |
参考文献 | 第28-37页 |
第二章 理论计算方法概述 | 第37-49页 |
2.1 薛定谔方程 | 第37-38页 |
2.2 密度泛函理论—从波函数到电荷密度 | 第38-42页 |
2.2.1 绝热近似 | 第39页 |
2.2.2 Hartree-Fock近似 | 第39-40页 |
2.2.3 Hohenberg-Kohn定理 | 第40-41页 |
2.2.4 Kohn-Sham方程 | 第41-42页 |
2.3 交换关联泛函 | 第42-44页 |
2.3.1 局域密度近似 | 第43-44页 |
2.3.2 广义梯度近似 | 第44页 |
2.4 材料科学中密度泛函理论的应用 | 第44-47页 |
2.4.1 第一性原理(The First Principles) | 第45-46页 |
2.4.2 第一性原理计算软件简介 | 第46-47页 |
参考文献 | 第47-49页 |
第三章 GaAs/InAs核壳纳米线带隙的调控 | 第49-61页 |
3.1 引言 | 第49-50页 |
3.2 计算方法和模型 | 第50-51页 |
3.3 结果与讨论 | 第51-57页 |
3.3.1 几何尺寸和化学组分对带隙的影响 | 第51-52页 |
3.3.2 单轴应变对带隙的影响 | 第52-57页 |
3.4 小结 | 第57页 |
参考文献 | 第57-61页 |
第四章 GaAs/InAs核壳纳米线的有效p型掺杂 | 第61-73页 |
4.1 引言 | 第61-62页 |
4.2 计算方法和模型 | 第62-64页 |
4.3 计算结果与讨论 | 第64-69页 |
4.3.1 闪锌矿GaAs/InAs核壳纳米线的有效掺杂 | 第64-66页 |
4.3.2 纤锌矿GaAs/InAs核壳纳米线的有效p型掺杂 | 第66-69页 |
4.4 本章小结 | 第69页 |
参考文献 | 第69-73页 |
第五章 带有表面悬挂键GaAs/InAs核壳纳米线的有效p型掺杂 | 第73-88页 |
5.1 引言 | 第73-75页 |
5.2 计算方法与模型 | 第75-78页 |
5.3 计算结果与讨论 | 第78-83页 |
5.3.1 WZ和ZB结构GaAs/InAs核壳纳米线表面悬挂键与掺杂位置的关系 | 第78-81页 |
5.3.2 悬挂键近邻p-型掺杂失效机制分析 | 第81-83页 |
5.4 本章小结 | 第83-84页 |
参考文献 | 第84-88页 |
第六章 电荷注入和应变对Fe/MoS_2异质结磁各向异性能的调制 | 第88-102页 |
6.1 引言 | 第88-90页 |
6.2 计算方法和模型 | 第90页 |
6.3 结果讨论与分析 | 第90-97页 |
6.3.1 Fe自旋注入对Fe/MoS_2的磁性影响 | 第90-93页 |
6.3.2 双轴应变对Fe/MoS_2磁各向异性能的调制 | 第93-97页 |
6.4 本章小结 | 第97-98页 |
参考文献 | 第98-102页 |
第七章 电荷注入对磁性元素掺杂MoS_2及其MoS_2/WS_2异质结磁学性质的影响 | 第102-116页 |
7.1 引言 | 第102-104页 |
7.2 计算方法和模型 | 第104-105页 |
7.3 结果讨论与分析 | 第105-111页 |
7.3.1 过渡金属在单层MoS_2及其异质结中的掺杂 | 第105-106页 |
7.3.2 电荷注入对单层MoS_2掺杂体系的影响 | 第106-108页 |
7.3.3 电荷注入对MoS_2/WS_2掺杂异质结磁性影响 | 第108-111页 |
7.4 本章小结 | 第111页 |
参考文献 | 第111-116页 |
第八章 结论及展望 | 第116-120页 |
8.1 结论 | 第116-118页 |
8.2 论文创新 | 第118-119页 |
8.3 后续展望 | 第119-120页 |
作者简历及在攻读博士学位期间研究成果 | 第120-122页 |
致谢 | 第122-123页 |