| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 课题背景与意义 | 第10-13页 |
| 1.1.1 背景 | 第10-12页 |
| 1.1.2 意义 | 第12-13页 |
| 1.2 SiC材料的物理特性和电学特性 | 第13-16页 |
| 1.3 SiC功率半导体材料的发展状况 | 第16-18页 |
| 1.3.1 SiC衬底材料方面 | 第16页 |
| 1.3.2 SiC外延层材料方面 | 第16-17页 |
| 1.3.3 SiC外延材料中的载流子寿命 | 第17-18页 |
| 1.4 本文的主要工作 | 第18-19页 |
| 第2章 发射极关断晶闸管的基本工作原理 | 第19-31页 |
| 2.1 GTO晶闸管的结构与工作原理 | 第19-21页 |
| 2.1.1 GTO的基本结构 | 第19-20页 |
| 2.1.2 GTO的工作原理 | 第20-21页 |
| 2.2 SiC GTO晶闸管的研究进展 | 第21-23页 |
| 2.3 ETO晶闸管的结构与工作原理 | 第23-27页 |
| 2.3.1 ETO晶闸管的结构 | 第23-24页 |
| 2.3.2 ETO晶闸管的工作原理 | 第24-26页 |
| 2.3.3 SiC ETO晶闸管的特性 | 第26-27页 |
| 2.4 SiC ETO晶闸管的研究进展 | 第27-29页 |
| 2.5 本章小结 | 第29-31页 |
| 第3章 6500V SiC ETO晶闸管的仿真研究 | 第31-49页 |
| 3.1 SiC GTO的设计原理 | 第31-33页 |
| 3.1.1 阻断电压设计 | 第31-32页 |
| 3.1.2 α1和α2的设计 | 第32-33页 |
| 3.1.3 少子寿命的设计 | 第33页 |
| 3.2 SiC GTO的仿真结构和物理模型 | 第33-37页 |
| 3.2.1 结构模型的建立 | 第34-35页 |
| 3.2.2 物理模型的设定 | 第35-37页 |
| 3.3 6500V SiC ETO的电学特性模拟研究 | 第37-45页 |
| 3.3.1 静态特性的仿真分析 | 第38-39页 |
| 3.3.2 开通过程的仿真分析 | 第39-44页 |
| 3.3.3 关断过程的仿真分析 | 第44-45页 |
| 3.4 关断损耗和dv/dt的分析 | 第45-47页 |
| 3.5 本章小结 | 第47-49页 |
| 第4章 6500V SiC ETO静态和动态特性的实验研究 | 第49-68页 |
| 4.1 6500V SiC ETO的设计 | 第49-50页 |
| 4.2 SiC ETO的静态特性 | 第50-53页 |
| 4.2.1 阻断特性 | 第50页 |
| 4.2.2 正向导通特性 | 第50-53页 |
| 4.3 双脉冲测试平台 | 第53-57页 |
| 4.3.1 双脉冲测试原理介绍 | 第54-55页 |
| 4.3.2 高压测试平台搭建 | 第55-56页 |
| 4.3.3 驱动电路的设计 | 第56-57页 |
| 4.4 SiC ETO的动态特性 | 第57-62页 |
| 4.4.1 开通特性 | 第58页 |
| 4.4.2 关断特性 | 第58-60页 |
| 4.4.3 不同电压电流下的SiC ETO关断特性比较 | 第60-62页 |
| 4.5 SiC GTO和SiC ETO关断特性的比较 | 第62-63页 |
| 4.6 SiC ETO反向安全工作区(RBSOA)分析 | 第63-65页 |
| 4.7 SiC ETO脉冲放电的实验验证 | 第65-67页 |
| 4.8 本章小结 | 第67-68页 |
| 结论与展望 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 附录 攻读学位期间取得的研究成果 | 第76页 |
