| 致谢 | 第4-5页 |
| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 缩略词表 | 第9-12页 |
| 1 绪论 | 第12-28页 |
| 1.1 功率半导体器件的发展 | 第12-13页 |
| 1.2 超结理论的提出及发展 | 第13-16页 |
| 1.3 超结理论介绍 | 第16-23页 |
| 1.3.1 “超结”名称的由来 | 第16-17页 |
| 1.3.2 超结原理 | 第17-19页 |
| 1.3.3 超结结构BV与R_(on)的线性关系 | 第19-23页 |
| 1.4 超结器件技术发展 | 第23-25页 |
| 1.5 国内外研究状况 | 第25-26页 |
| 1.6 本论文主要工作及章节安排 | 第26-28页 |
| 2 超结VDMOS器件 | 第28-49页 |
| 2.1 元胞设计 | 第28-41页 |
| 2.1.1 超结结构版图图型 | 第28-31页 |
| 2.1.2 深槽侧壁倾斜问题 | 第31-37页 |
| 2.1.3 缓冲区长度 | 第37-40页 |
| 2.1.4 元胞设计结果 | 第40-41页 |
| 2.2 终端结构设计 | 第41-47页 |
| 2.2.1 超结终端设计理论 | 第42-46页 |
| 2.2.2 终端结构设计仿真结果 | 第46-47页 |
| 2.3 流片测试结果 | 第47-49页 |
| 3 超结LDMOS器件 | 第49-80页 |
| 3.1 超结LDMOS概述 | 第49-53页 |
| 3.1.1 超结LDMOS结构 | 第49-52页 |
| 3.1.2 Superjunction与RESURF的关系 | 第52-53页 |
| 3.2 Triple-RESURF LDMOS设计 | 第53-70页 |
| 3.2.1 器件结构介绍 | 第53-54页 |
| 3.2.2 器件设计 | 第54-63页 |
| 3.2.3 版图设计 | 第63-70页 |
| 3.3 器件性能分析 | 第70-80页 |
| 3.3.1 静态参数 | 第71-76页 |
| 3.3.2 动态开关特性 | 第76-80页 |
| 4 总结与展望 | 第80-82页 |
| 4.1 总结 | 第80-81页 |
| 4.2 展望 | 第81-82页 |
| 参考文献 | 第82-88页 |
| 作者简历及在学期间所取得的科研成果 | 第88-89页 |