| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第14-15页 |
| 缩略语对照表 | 第15-18页 |
| 第一章 绪论 | 第18-34页 |
| 1.1 FinFET器件 | 第19-22页 |
| 1.1.1 器件结构的演变 | 第19-20页 |
| 1.1.2 FinFET的特征 | 第20-22页 |
| 1.2 单粒子效应(SEE) | 第22-28页 |
| 1.2.1 抗辐照研究的发展 | 第23页 |
| 1.2.2 软错误的机制 | 第23-24页 |
| 1.2.3 电荷生成 | 第24-25页 |
| 1.2.4 电荷收集 | 第25-28页 |
| 1.2.5 寄生双极放大增益 | 第28页 |
| 1.3 国内外研究现状 | 第28-31页 |
| 1.4 本文的主要研究工作 | 第31-34页 |
| 第二章 SOI FinFET器件建模 | 第34-42页 |
| 2.1 SOI FinFET器件模型建立 | 第35-36页 |
| 2.2 仿真所用物理模型 | 第36-41页 |
| 2.2.1 Sentaurus Device工具介绍 | 第36-38页 |
| 2.2.2 SOI FinFET器件单粒子效应仿真的物理模型 | 第38-41页 |
| 2.3 小结 | 第41-42页 |
| 第三章 SOI FinFET器件单粒子辐照仿真 | 第42-62页 |
| 3.1 漏端电压对单粒子效应的影响 | 第42-44页 |
| 3.2 不同LET值对单粒子效应的影响 | 第44-51页 |
| 3.2.1 重离子入射深度讨论 | 第44-46页 |
| 3.2.2 不同LET值对单粒子效应的影响 | 第46-51页 |
| 3.3 不同入射位置对单粒子效应的影响 | 第51-57页 |
| 3.4 不同入射方向对单粒子效应的影响 | 第57-60页 |
| 3.5 小结 | 第60-62页 |
| 第四章 SOI FinFET器件尺寸对单粒子效应影响 | 第62-76页 |
| 4.1 Fin薄膜的厚度 | 第62-66页 |
| 4.2 不同Fin高对单粒子效应的影响 | 第66-71页 |
| 4.3 栅长对单粒子效应的影响 | 第71-74页 |
| 4.4 小结 | 第74-76页 |
| 第五章 SOI FinFET SRAM单元的单粒子翻转研究 | 第76-92页 |
| 5.1 前言 | 第76页 |
| 5.2 P-FinFET建模 | 第76-78页 |
| 5.3 SRAM单元电路的搭建 | 第78-82页 |
| 5.4 SRAM单元的单粒子辐照仿真分析 | 第82-88页 |
| 5.4.1 不同LET值对SRAM单元的单粒子翻转(SEU)的影响 | 第82-84页 |
| 5.4.2 不同入射位置对SRAM单元的单粒子翻转(SEU)的影响 | 第84-88页 |
| 5.5 金属栅功函数对SRAM可靠性的影响 | 第88-91页 |
| 5.6 小结 | 第91-92页 |
| 第六章 结论与展望 | 第92-94页 |
| 6.1 研究结论 | 第92-93页 |
| 6.2 研究展望 | 第93-94页 |
| 参考文献 | 第94-98页 |
| 致谢 | 第98-100页 |
| 作者简介 | 第100-101页 |
