摘要 | 第4-6页 |
ABSTRACT | 第6-8页 |
符号说明 | 第11-12页 |
第一章 绪论 | 第12-20页 |
1.1 课题研究背景 | 第12-13页 |
1.2 自卷曲微米管及其相关器件的研究现状 | 第13-17页 |
1.3 论文结构安排 | 第17-18页 |
参考文献 | 第18-20页 |
第二章 微纳自卷曲相关原理及微米管的制备 | 第20-32页 |
2.1 微米管自卷曲原理及管径的理论计算 | 第20-22页 |
2.2 制备自卷曲微米管所需实验设备 | 第22-25页 |
2.2.1 光刻机 | 第22-23页 |
2.2.2 恒温水浴槽 | 第23页 |
2.2.3 接触式台阶仪 | 第23-24页 |
2.2.4 快速退火炉 | 第24页 |
2.2.5 磁控溅射仪 | 第24-25页 |
2.3 微米管的制备 | 第25-27页 |
2.3.1 外延结构的生长 | 第25页 |
2.3.2 光刻技术和腐蚀技术 | 第25-26页 |
2.3.3 微米管制备的方法 | 第26-27页 |
2.4 表征自卷曲微米管所需实验设备 | 第27-30页 |
2.4.1 光学显微镜 | 第27页 |
2.4.2 扫描电子显微镜(SEM) | 第27-28页 |
2.4.3 PL光致发光光谱仪 | 第28-29页 |
2.4.4 原子力显微镜 | 第29-30页 |
2.4.5 拉曼光谱仪 | 第30页 |
2.5 本章小节 | 第30-31页 |
参考文献 | 第31-32页 |
第三章 嵌入InAs QDs的微米管的光学特性研究 | 第32-46页 |
3.1 嵌入InAs QDs的外延结构的设计 | 第32-34页 |
3.1.1 量子点QD | 第32-33页 |
3.1.2 外延结构生长 | 第33-34页 |
3.2 嵌入InAs QDs的自卷曲微米管的制备 | 第34-38页 |
3.2.1 双边撕裂法制备微米管 | 第34-35页 |
3.2.2 U型单边固定撕裂制备微米管 | 第35-36页 |
3.2.3 U型单边撕裂与衬底镀金结合制备微米管 | 第36页 |
3.2.4 基板刻蚀结合U型单边撕裂制备微米管 | 第36-38页 |
3.3 嵌入InAs QDs的微米管的光学性能表征 | 第38-44页 |
3.3.1 双边撕裂获得的微米管的光学性能表征 | 第38-39页 |
3.3.2 转移至SiOx和镀金薄膜衬底的微米管的光学性能表征 | 第39-40页 |
3.3.3 单边固定撕裂微米管的光学性能表征 | 第40-43页 |
3.3.4 U型单边撕裂与衬底镀金结合的微米管的光学性能表征 | 第43页 |
3.3.5 基板刻蚀结合U型单边撕裂制得自卷曲微米管的表征 | 第43-44页 |
3.4 本章小节 | 第44-45页 |
参考文献 | 第45-46页 |
第四章 自卷曲微米管相关器件的制备工艺的探索 | 第46-58页 |
4.1 与金属纳米颗粒结合的自卷曲微米管的制备 | 第46-47页 |
4.2 与金属纳米颗粒结合的自卷曲微米管的表征 | 第47-51页 |
4.3 卷曲场效应管(RUFET)的制备工艺的探索 | 第51-53页 |
4.3.1 RUFET外延结构的生长 | 第51-52页 |
4.3.2 RUFET的制备工艺 | 第52-53页 |
4.4 本章小节 | 第53-55页 |
参考文献 | 第55-58页 |
第五章 总结与展望 | 第58-60页 |
5.1 总结 | 第58-59页 |
5.2 展望 | 第59-60页 |
致谢 | 第60-62页 |
攻读硕士学位期间发表的学术论文目录 | 第62页 |