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基于纳米薄膜自卷曲的Ⅲ-Ⅴ族半导体管状功能器件的研究

摘要第4-6页
ABSTRACT第6-8页
符号说明第11-12页
第一章 绪论第12-20页
    1.1 课题研究背景第12-13页
    1.2 自卷曲微米管及其相关器件的研究现状第13-17页
    1.3 论文结构安排第17-18页
    参考文献第18-20页
第二章 微纳自卷曲相关原理及微米管的制备第20-32页
    2.1 微米管自卷曲原理及管径的理论计算第20-22页
    2.2 制备自卷曲微米管所需实验设备第22-25页
        2.2.1 光刻机第22-23页
        2.2.2 恒温水浴槽第23页
        2.2.3 接触式台阶仪第23-24页
        2.2.4 快速退火炉第24页
        2.2.5 磁控溅射仪第24-25页
    2.3 微米管的制备第25-27页
        2.3.1 外延结构的生长第25页
        2.3.2 光刻技术和腐蚀技术第25-26页
        2.3.3 微米管制备的方法第26-27页
    2.4 表征自卷曲微米管所需实验设备第27-30页
        2.4.1 光学显微镜第27页
        2.4.2 扫描电子显微镜(SEM)第27-28页
        2.4.3 PL光致发光光谱仪第28-29页
        2.4.4 原子力显微镜第29-30页
        2.4.5 拉曼光谱仪第30页
    2.5 本章小节第30-31页
    参考文献第31-32页
第三章 嵌入InAs QDs的微米管的光学特性研究第32-46页
    3.1 嵌入InAs QDs的外延结构的设计第32-34页
        3.1.1 量子点QD第32-33页
        3.1.2 外延结构生长第33-34页
    3.2 嵌入InAs QDs的自卷曲微米管的制备第34-38页
        3.2.1 双边撕裂法制备微米管第34-35页
        3.2.2 U型单边固定撕裂制备微米管第35-36页
        3.2.3 U型单边撕裂与衬底镀金结合制备微米管第36页
        3.2.4 基板刻蚀结合U型单边撕裂制备微米管第36-38页
    3.3 嵌入InAs QDs的微米管的光学性能表征第38-44页
        3.3.1 双边撕裂获得的微米管的光学性能表征第38-39页
        3.3.2 转移至SiOx和镀金薄膜衬底的微米管的光学性能表征第39-40页
        3.3.3 单边固定撕裂微米管的光学性能表征第40-43页
        3.3.4 U型单边撕裂与衬底镀金结合的微米管的光学性能表征第43页
        3.3.5 基板刻蚀结合U型单边撕裂制得自卷曲微米管的表征第43-44页
    3.4 本章小节第44-45页
    参考文献第45-46页
第四章 自卷曲微米管相关器件的制备工艺的探索第46-58页
    4.1 与金属纳米颗粒结合的自卷曲微米管的制备第46-47页
    4.2 与金属纳米颗粒结合的自卷曲微米管的表征第47-51页
    4.3 卷曲场效应管(RUFET)的制备工艺的探索第51-53页
        4.3.1 RUFET外延结构的生长第51-52页
        4.3.2 RUFET的制备工艺第52-53页
    4.4 本章小节第53-55页
    参考文献第55-58页
第五章 总结与展望第58-60页
    5.1 总结第58-59页
    5.2 展望第59-60页
致谢第60-62页
攻读硕士学位期间发表的学术论文目录第62页

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