| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 1 绪论 | 第8-21页 |
| 1.1 半导体存储器 | 第8-9页 |
| 1.2 非易失性半导体存储器 | 第9-11页 |
| 1.3 相变存储器 | 第11-14页 |
| 1.4 相变存储器单元的电学特性 | 第14-19页 |
| 1.5 本论文研究目的与内容安排 | 第19-21页 |
| 2 相变存储器单元的脉冲I-V测量方案研究 | 第21-38页 |
| 2.1 相变存储器单元脉冲I-V测量方法解决方案 | 第21-22页 |
| 2.2 相变存储器单元脉冲I-V测量系统解决方案 | 第22-27页 |
| 2.3 脉冲I-V测量程序设计 | 第27-29页 |
| 2.4 电路原理图和PCB版图设计 | 第29-30页 |
| 2.5 相变存储器样品的工艺结构设计 | 第30-32页 |
| 2.6 相变存储器芯片的封装技术研究 | 第32-36页 |
| 2.7 本章小结 | 第36-38页 |
| 3 相变存储器单元的脉冲I-V特性曲线分析 | 第38-49页 |
| 3.1 相变存储器单元I-V特性曲线对比分析 | 第38-39页 |
| 3.2 相变存储器单元脉冲I-V测量实验过程 | 第39-40页 |
| 3.3 相变存储器单元的脉冲I-V特性曲线分析 | 第40-45页 |
| 3.4 相变存储器单元“异常”的脉冲I-V特性曲线分析 | 第45-48页 |
| 3.5 本章小结 | 第48-49页 |
| 4 相变存储器单元的阈值开关机理分析 | 第49-60页 |
| 4.1 阈值电压与脉冲宽度、脉冲周期和两态电阻比的关系 | 第49-51页 |
| 4.2 相变材料的阈值开关机理分析 | 第51-54页 |
| 4.3 阈值电压与脉冲宽度和脉冲周期关系分析 | 第54-57页 |
| 4.4 阈值电压与两态电阻比关系分析 | 第57-59页 |
| 4.5 本章小结 | 第59-60页 |
| 5 总结与展望 | 第60-62页 |
| 5.1 总结 | 第60-61页 |
| 5.2 展望 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-66页 |
| 附录 攻读学位期间发表论文情况 | 第66页 |