| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-20页 |
| 1.1 课题的提出和研究目的 | 第12-13页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第13-17页 |
| 1.2.1 孔阵结构屏蔽效能解析算法的研究现状 | 第13-14页 |
| 1.2.2 开孔腔体屏蔽效能解析算法的研究现状 | 第14-15页 |
| 1.2.3 屏蔽腔体电磁谐振现象的研究现状 | 第15-16页 |
| 1.2.4 屏蔽腔体 EMC 数值仿真的研究现状 | 第16-17页 |
| 1.3 本文的主要研究内容以及创新点 | 第17-20页 |
| 第二章 基于透射和反射系数的孔阵结构屏蔽效能解析算法研究 | 第20-37页 |
| 2.1 分析孔阵金属板透射系数和反射系数的必要性 | 第20页 |
| 2.2 传统边界条件和广义边界条件 | 第20-22页 |
| 2.3 孔阵金属板透射、反射系数解析算法的推导 | 第22-31页 |
| 2.3.1 电磁波垂直入射 | 第22-27页 |
| 2.3.2 TE波斜入射 | 第27-28页 |
| 2.3.3 TM波斜入射 | 第28-31页 |
| 2.4 解析算法和数值仿真的结果对比 | 第31-33页 |
| 2.5 基于透射、反射系数的孔阵结构屏蔽效能解析算法研究 | 第33-35页 |
| 2.6 本章小结 | 第35-37页 |
| 第三章 腔体屏蔽效能ROBINSON解析算法的扩展及其准确性分析 | 第37-65页 |
| 3.1 开孔屏蔽腔体屏蔽效能解析算法的扩展分析 | 第37-53页 |
| 3.1.1 扩展解析算法的推导过程 | 第37-43页 |
| 3.1.2 扩展解析算法的准确性验证 | 第43-51页 |
| 3.1.3 扩展解析算法的相关讨论 | 第51-53页 |
| 3.2 观测点位置与解析算法准确性之间的关系研究 | 第53-63页 |
| 3.2.1 频率与机箱深度对p取值的影响 | 第53-57页 |
| 3.2.2 p解析公式的推导过程 | 第57-61页 |
| 3.2.3 p解析公式的准确性研究 | 第61-63页 |
| 3.3 本章小结 | 第63-65页 |
| 第四章 屏蔽腔体电磁谐振特性的解析算法研究及数值仿真分析 | 第65-95页 |
| 4.1 对屏蔽腔体谐振点处EMC特性进行分析的必要性 | 第65-66页 |
| 4.2 基于微扰原理的屏蔽腔体谐振频率解析算法推导及其准确性验证 | 第66-84页 |
| 4.2.1 屏蔽腔体谐振频率的解析算法推导过程 | 第66-70页 |
| 4.2.2 解析算法的准确性验证及数值仿真分析 | 第70-78页 |
| 4.2.3 解析算法的实验验证 | 第78-82页 |
| 4.2.4 对屏蔽腔体谐振频率解析算法的讨论 | 第82-84页 |
| 4.3 贯穿形式长缝隙的电磁谐振现象数值仿真分析 | 第84-94页 |
| 4.3.1 极化角度与缝隙的放置方式 | 第85-88页 |
| 4.3.2 缝隙结构参数与电磁谐振点频率之间的关系 | 第88-94页 |
| 4.4 本章小结 | 第94-95页 |
| 第五章 以实际PCB作为内部干扰源的屏蔽腔体全波仿真分析 | 第95-105页 |
| 5.1 基于内部干扰源的屏蔽腔体EMC特性分析的必要性 | 第95页 |
| 5.2 仿真环境介绍 | 第95-96页 |
| 5.3 以PCB作为内部干扰源的屏蔽腔体全波仿真方法 | 第96-103页 |
| 5.3.1 全波仿真方法的步骤 | 第96-99页 |
| 5.3.2 不同内部干扰源所得结果的对比 | 第99-100页 |
| 5.3.3 开孔参数对电子设备屏蔽内部电磁辐射能力的影响 | 第100-103页 |
| 5.4 本章小结 | 第103-105页 |
| 第六章 全文总结与展望 | 第105-107页 |
| 6.1 全文总结 | 第105-106页 |
| 6.2 后续展望 | 第106-107页 |
| 致谢 | 第107-108页 |
| 参考文献 | 第108-116页 |
| 科研经历 | 第116页 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 | 第116-117页 |
