| 致谢 | 第7-8页 |
| 摘要 | 第8-9页 |
| Abstract | 第9页 |
| 第一章 绪论 | 第16-29页 |
| 1.1 热电子发射 | 第16-18页 |
| 1.1.1 热电子发射原理 | 第16-17页 |
| 1.1.2 热电子发射阴极 | 第17-18页 |
| 1.2 六硼化物阴极材料 | 第18-27页 |
| 1.2.1 结构特点 | 第18-20页 |
| 1.2.2 研究现状及其应用 | 第20-23页 |
| 1.2.3 多晶制备方法 | 第23-24页 |
| 1.2.4 单晶制备方法 | 第24-27页 |
| 1.3 本文研究意义及主要内容 | 第27-29页 |
| 1.3.1 本文的研究意义 | 第27页 |
| 1.3.2 本文的研究内容 | 第27-29页 |
| 第二章 实验原理与方法 | 第29-40页 |
| 2.1 实验方案 | 第29页 |
| 2.2 样品制备 | 第29-31页 |
| 2.2.1 放电等离子烧结技术制备CeB_6多晶块体 | 第29-30页 |
| 2.2.2 悬浮区域熔炼技术制备CeB_6单晶 | 第30-31页 |
| 2.3 致密度、力学性能、电学性能测试方法 | 第31-34页 |
| 2.3.1 致密度测试 | 第31-32页 |
| 2.3.2 硬度测试 | 第32页 |
| 2.3.3 抗弯强度测试 | 第32-33页 |
| 2.3.4 电阻率测试 | 第33-34页 |
| 2.4 CeB_6单晶表征 | 第34-37页 |
| 2.4.1 单晶衍射 | 第34-35页 |
| 2.4.2 拉曼光谱分析 | 第35页 |
| 2.4.3 摇摆曲线 | 第35-36页 |
| 2.4.4 单晶定向 | 第36-37页 |
| 2.5 热电子发射性能测试 | 第37-40页 |
| 第三章 CeB_6多晶块体制备及其性能研究 | 第40-53页 |
| 3.1 引言 | 第40页 |
| 3.2 CeB_6多晶块体的制备 | 第40-41页 |
| 3.3 烧结温度对CeB_6多晶块体的影响 | 第41-46页 |
| 3.3.1 XRD衍射分析 | 第41页 |
| 3.3.2 烧结温度对致密度的影响 | 第41-42页 |
| 3.3.3 烧结温度对显微硬度的影响 | 第42-43页 |
| 3.3.4 烧结温度对抗弯强度的影响 | 第43-44页 |
| 3.3.5 烧结温度对断口形貌的影响 | 第44-45页 |
| 3.3.6 烧结温度对电阻率的影响 | 第45-46页 |
| 3.4 烧结压力对CeB_6多晶块体的影响 | 第46-49页 |
| 3.4.1 XRD衍射分析 | 第46页 |
| 3.4.2 烧结压力对致密度的影响 | 第46-47页 |
| 3.4.3 烧结压力对显微硬度的影响 | 第47-48页 |
| 3.4.4 烧结压力对抗弯强度的影响 | 第48-49页 |
| 3.4.5 烧结压力对断口形貌的影响 | 第49页 |
| 3.5 热电子发射性能研究 | 第49-51页 |
| 3.5.1 CeB_6多晶材料热电子发射性能测试 | 第49-50页 |
| 3.5.2 CeB_6多晶材料逸出功计算 | 第50-51页 |
| 3.6 本章小结 | 第51-53页 |
| 第四章 CeB_6单晶体的制备及其性能研究 | 第53-68页 |
| 4.1 引言 | 第53页 |
| 4.2 CeB_6单晶制备 | 第53-54页 |
| 4.3 CeB_6单晶性能表征 | 第54-56页 |
| 4.3.1 CeB_6单晶结构 | 第54-56页 |
| 4.3.2 CeB_6单晶力学性能 | 第56页 |
| 4.4 单晶CeB_6热电子发射性能 | 第56-66页 |
| 4.4.1 不同阴极工作温度下的脉冲发射特性 | 第58页 |
| 4.4.2 不同晶面下的脉冲发射特性 | 第58-64页 |
| 4.4.3 不同阴阳极间距下的脉冲发射特性 | 第64-65页 |
| 4.4.4 不同真空度下的脉冲发射特性 | 第65-66页 |
| 4.5 本章小结 | 第66-68页 |
| 第五章 结论和展望 | 第68-70页 |
| 5.1 结论 | 第68-69页 |
| 5.2 展望 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-76页 |
| 攻读硕士学位期间的学术活动和成果情况 | 第76-77页 |