| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 课题背景及研究意义 | 第10-12页 |
| 1.2 CMOS像感器发展及应用状况 | 第12-14页 |
| 1.2.1 CMOS像感器的发展 | 第12-13页 |
| 1.2.2 CMOS像感器的空间应用状况 | 第13-14页 |
| 1.3 CMOS像感器的单粒子效应研究 | 第14-18页 |
| 1.3.1 国外研究进展 | 第15-17页 |
| 1.3.2 国内研究进展 | 第17-18页 |
| 1.4 文献综述及分析 | 第18-19页 |
| 1.5 本文主要研究内容 | 第19-20页 |
| 第2章 空间辐射环境及效应机理 | 第20-30页 |
| 2.1 空间辐射环境分析 | 第20-25页 |
| 2.1.1 地球辐射带 | 第21-24页 |
| 2.1.2 太阳宇宙射线 | 第24页 |
| 2.1.3 银河宇宙线 | 第24-25页 |
| 2.2 航天器轨道辐射环境分布 | 第25-26页 |
| 2.2.1 航天器轨道 | 第25-26页 |
| 2.2.2 航天器轨道环境中高能射线及粒子分布 | 第26页 |
| 2.3 高能重粒子对器件的损伤效应与机理分析 | 第26-29页 |
| 2.3.1 电离效应 | 第26-27页 |
| 2.3.2 位移效应 | 第27-28页 |
| 2.3.3 单粒子效应 | 第28-29页 |
| 2.4 本章小结 | 第29-30页 |
| 第3章 CMOS图像传感器辐射效应分析 | 第30-44页 |
| 3.1 CMOS像感器的核心器件 | 第30-33页 |
| 3.1.1 光电二极管工作原理 | 第30-31页 |
| 3.1.2 MOSFET工作原理 | 第31-33页 |
| 3.2 CMOS像感器的工作原理及特性参数 | 第33-34页 |
| 3.2.1 CMOS像感器结构和工作原理 | 第33-34页 |
| 3.2.2 CMOS像感器工作特性参数 | 第34页 |
| 3.3 单粒子效应对CMOS像感器的影响 | 第34-42页 |
| 3.3.1 单粒子效应对光电二极管的影响 | 第35-37页 |
| 3.3.2 单粒子效应对MOSFET场效应晶体管的影响 | 第37-38页 |
| 3.3.3 单粒子效应对CMOS器件的影响 | 第38-39页 |
| 3.3.4 单粒子效应对CMOS像感器像素单元的影响 | 第39-40页 |
| 3.3.5 单粒子效应对CMOS像感器像素阵列的影响 | 第40-42页 |
| 3.4 本章小结 | 第42-44页 |
| 第4章 CMOS像感器单粒子效应实验研究 | 第44-74页 |
| 4.1 实验方案 | 第44-53页 |
| 4.1.1 实验条件 | 第44-51页 |
| 4.1.2 测量参数 | 第51-53页 |
| 4.2 实验结果 | 第53-57页 |
| 4.2.1 本底测试 | 第53-54页 |
| 4.2.2 辐照后测试 | 第54-57页 |
| 4.3 实验结果及分析 | 第57-68页 |
| 4.3.1 CMOS像感器平均暗输出灰度值实验结果分析 | 第57-59页 |
| 4.3.2 CMOS 像感器的暗输出灰度方差 | 第59页 |
| 4.3.3 CMOS像感器单粒子变化率实验结果分析 | 第59-64页 |
| 4.3.4 CMOS像感器单粒子截面实验结果分析 | 第64-66页 |
| 4.3.5 CMOS像感器单粒子效应与干扰区域的关系 | 第66-68页 |
| 4.4 实验结果与理论对比 | 第68-72页 |
| 4.4.1 辐射粒子对CMOS像感器单粒子效应的影响 | 第68-70页 |
| 4.4.2 CMOS像感器非零像素平均灰度与入射粒子能量的关系 | 第70-72页 |
| 4.5 本章小结 | 第72-74页 |
| 结论 | 第74-76页 |
| 参考文献 | 第76-80页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及其他成果 | 第80-82页 |
| 致谢 | 第82页 |
