| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4页 |
| 1 绪论 | 第8-32页 |
| 1.1 引言 | 第8页 |
| 1.2 电子封装材料的概况 | 第8-13页 |
| 1.2.1 电子封装材料的发展 | 第8-10页 |
| 1.2.2 电子封装材料的性能要求 | 第10-11页 |
| 1.2.3 常用电子封装材料 | 第11-13页 |
| 1.3 颗粒增强电子封装复合材料 | 第13-19页 |
| 1.3.1 Si-Al电子封装复合材料 | 第13-14页 |
| 1.3.2 颗粒增强电子封装复合材料 | 第14-15页 |
| 1.3.3 TiB_2/Si-Al电子封装复合材料 | 第15-19页 |
| 1.3.3.1 TiB_2/Si-Al复合材料的制备方法 | 第15-16页 |
| 1.3.3.2 TiB_2/Si-Al复合材料的致密化 | 第16-18页 |
| 1.3.3.3 TiB_2/Si-Al电子封装材料的应用 | 第18-19页 |
| 1.4 复合材料的热传导理论的研究进展 | 第19-30页 |
| 1.4.1 复合材料导热的理论研究 | 第19-28页 |
| 1.4.1.1 P.G. Klemens模型 | 第20页 |
| 1.4.1.2 经典Maxwell理论及发展 | 第20-25页 |
| 1.4.1.3 经典Bruggeman有效介质方程 | 第25-26页 |
| 1.4.1.4 通用有效介质方程 | 第26-27页 |
| 1.4.1.5 MEMA模型 | 第27-28页 |
| 1.4.2 复合材料热膨胀理论研究 | 第28-30页 |
| 1.4.2.1 ROM模型 | 第28页 |
| 1.4.2.2 Turner模型 | 第28-29页 |
| 1.4.2.3 Kerner模型 | 第29-30页 |
| 1.5 TiB_2/Si-Al电子封装复合材料研究热点与存在的主要问题 | 第30页 |
| 1.6 课题研究意义 | 第30-32页 |
| 2 试验材料与分析测试方法 | 第32-35页 |
| 2.1 试验材料与制备工艺 | 第32页 |
| 2.2 分析测试方法 | 第32-35页 |
| 2.2.1 TiB_2/Si-Al复合材料组织分析方法 | 第32-33页 |
| 2.2.2 TiB_2/Si-Al复合材料性能测试方法 | 第33-34页 |
| 2.2.3 TiB_2/Si-Al复合材料性能数学模拟预测方法 | 第34-35页 |
| 3 TiB_2/Si-Al复合材料的显微组织 | 第35-43页 |
| 3.1 硅含量对材料显微组织的影响 | 第35-37页 |
| 3.2 TiB_2颗粒对材料显微组织的影响 | 第37-40页 |
| 3.3 热等静压条件对Si-Al合金显微组织的影响 | 第40-42页 |
| 3.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 4 TiB_2/Si-Al复合材料的热导率 | 第43-55页 |
| 4.1 硅含量变化对Si-Al合金热导率的影响 | 第43-44页 |
| 4.2 TiB_2颗粒对Si-Al合金热导率的影响 | 第44-48页 |
| 4.3 组织中孔隙对Si-Al合金热导率的影响 | 第48-50页 |
| 4.4 热导率模拟公式的引申 | 第50-54页 |
| 4.4.1 H-J模型相关参数的修正与数值分析 | 第50-52页 |
| 4.4.2 等效粒径方法在TiB_2/Si-Al复合材料的应用 | 第52-53页 |
| 4.4.3 TiB_2/Si-Al复合材料中的界面作用 | 第53-54页 |
| 4.5 本章小结 | 第54-55页 |
| 5 TiB_2/Si-Al复合材料的热膨胀性能的研究 | 第55-61页 |
| 5.1 颗粒含量变化对Si-Al合金热膨胀系数的影响 | 第55-56页 |
| 5.2 沉积态合金和热等静压后合金的热膨胀曲线 | 第56-59页 |
| 5.3 各模型之间的差异性比较 | 第59-60页 |
| 5.4 本章小结 | 第60-61页 |
| 6 结论 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第71-72页 |
| 附录一 | 第72-73页 |
