| 摘要 | 第8-10页 |
| ABSTRACT | 第10-11页 |
| 符号说明 | 第12-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-21页 |
| 1.1 激光器的构成与固态增益介质 | 第13-15页 |
| 1.2 全固态激光器 | 第15-16页 |
| 1.3 调Q基本原理及其发展 | 第16-17页 |
| 1.4 锁模技术基本原理 | 第17-18页 |
| 1.5 调Q锁模的基本理论 | 第18-19页 |
| 1.6 被动调Q的速率方程理论 | 第19页 |
| 1.7 本文主要研究内容 | 第19-21页 |
| 第二章 掺Bi砷化镓作为可饱和吸收体的调Q特性的理论分析 | 第21-33页 |
| 2.1 GaAs可饱和吸收体基本性质 | 第21-24页 |
| 2.1.1 GaAs在1μm处的主要吸收过程 | 第21-23页 |
| 2.1.2 光强起伏机制 | 第23-24页 |
| 2.1.3 速率方程 | 第24页 |
| 2.2 掺铋砷化镓的研究背景与现状 | 第24-25页 |
| 2.3 掺铋砷化镓的制备与基本性质 | 第25-32页 |
| 2.3.1 掺铋砷化镓的制备方法与离子注入 | 第25-29页 |
| 2.3.2 退火工艺与快速热退火 | 第29页 |
| 2.3.3 实验使用的掺铋砷化镓样品的基本性质 | 第29-32页 |
| 2.4 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 掺Bi砷化镓被动调Q的Nd：GGG全固态激光器激光特性的研究 | 第33-41页 |
| 3.1 引言 | 第33页 |
| 3.2 结果与讨论 | 第33-40页 |
| 3.2.1 掺铋砷化镓制备与基本性质 | 第33-34页 |
| 3.2.2 实验装置与结果分析 | 第34-40页 |
| 3.3 本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 掺Bi砷化镓被动调Q锁模的Nd：GGG全固态激光器激光特性的研究 | 第41-52页 |
| 4.1 引言 | 第41-42页 |
| 4.2 实验装置 | 第42-43页 |
| 4.3 实验结果 | 第43-51页 |
| 4.3.1 V型腔与ABCD矩阵理论 | 第43-45页 |
| 4.3.2 实验结果分析 | 第45-51页 |
| 4.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 第五章 总结与展望 | 第52-54页 |
| 5.1 工作总结 | 第52-53页 |
| 5.2 工作展望 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 攻读硕士研究生期间研究成果 | 第62-63页 |
| 附件 | 第63页 |
