首页--工业技术论文--自动化技术、计算机技术论文--自动化技术及设备论文--自动化元件、部件论文--发送器(变换器)、传感器论文

多维度组装SnO2气敏性能及其机理研究

中文摘要第3-5页
英文摘要第5-7页
1 绪论第12-30页
    1.1 引言第12-13页
    1.2 半导体气敏传感器的分类第13-14页
    1.3 SnO_2气敏传感器的研究进展第14-19页
    1.4 半导体金属氧化物气敏机理的研究进展第19-21页
    1.5 第一性原理的简述第21-26页
        1.5.1 Thomas-Fermi-Dirac模型第23-24页
        1.5.2 Hohenberg-Kohn定理第24页
        1.5.3 Kohn-Sham方程第24-25页
        1.5.4 基于密度泛函理论的第一性原理的实现第25页
        1.5.5 周期超晶格方法第25-26页
        1.5.6 赝势近似法第26页
    1.6 基于密度泛函第一性原理的SnO_2气敏特性分析方法第26-28页
    1.7 本论文研究的目的、意义及主要内容第28-30页
2 实验方法及机理计算方法第30-36页
    2.1 旁热式气敏元件的制备第30-32页
    2.2 材料结构表征第32页
        2.2.1 X射线衍射仪(XRD)第32页
        2.2.2 扫描电子显微镜(SEM)第32页
        2.2.3 高分辨透射电子显微镜(HRTEM)第32页
    2.3 气敏性能的表征第32-34页
    2.4 基于第一性原理研究气敏机理的方法第34-35页
    2.5 本章小结第35-36页
3 零维SnO_2纳米材料的研制及气敏性能第36-52页
    3.1 引言第36页
    3.2 SnO_2气敏材料的制备第36-37页
        3.2.1 实验试剂及仪器第36-37页
        3.2.2 实验试剂及仪器第37页
        3.2.3 SnO_2实心球制备第37页
        3.2.4 SnO_2空心球制备第37页
        3.2.5 SnO_2方块制备第37页
    3.3 SnO_2气敏材料的结构表征第37-40页
        3.3.1 X射线衍射分析(XRD)第38-39页
        3.3.2 射线衍扫描电子显微镜分析(SEM)第39-40页
    3.4 SnO_2生长机理研究第40-43页
        3.4.1 SnO_2实心球生长机理第40页
        3.4.2 SnO_2空心球生长机理第40-41页
        3.4.3 SnO_2方块生长机理第41-43页
    3.5 SnO_2气敏性能研究第43-48页
        3.5.1 SnO_2实心球气敏性能第44-45页
        3.5.2 SnO_2空心球气敏性能第45-47页
        3.5.3 SnO_2方块气敏性能第47-48页
        3.5.4 SnO_2三种形貌气敏性能比较第48页
    3.6 SnO_2气敏机理研究第48-49页
    3.7 本章小结第49-52页
4 一维SnO_2纳米材料的研制及气敏性能第52-74页
    4.1 引言第52页
    4.2 针状SnO_2纳米花的制备与气敏性能研究第52-58页
        4.2.1 针状SnO_2纳米花的制备第52-53页
        4.2.2 X射线衍射分析(XRD)第53页
        4.2.3 样品的形貌分析第53-54页
        4.2.4 生长机理分析分析第54-55页
        4.2.5 气敏测试及分析第55-57页
        4.2.6 气敏原理的分析第57-58页
        4.2.7 小结第58页
    4.3 棒状SnO_2纳米花的制备与气敏性能研究第58-65页
        4.3.1 棒状SnO_2纳米花的制备第58-59页
        4.3.2 X射线衍射分析(XRD)第59页
        4.3.3 样品的形貌分析第59-61页
        4.3.4 生长机理分析分析第61-62页
        4.3.5 气敏测试及分析第62-64页
        4.3.6 气敏原理的分析第64页
        4.3.7 小节第64-65页
    4.4 一维组装SnO_2纳米网的制备与气敏性能研究第65-71页
        4.4.1 一维组装SnO_2纳米网的制备第65页
        4.4.2 X射线衍射分析(XRD)第65-66页
        4.4.3 样品的形貌分析第66-67页
        4.4.4 生长机理分析分析第67-68页
        4.4.5 气敏测试及分析第68-70页
        4.4.6 气敏原理的分析第70-71页
        4.4.7 小节第71页
    4.5 本章小结第71-74页
5 二维片状组装SnO_2材料的研制及气敏性能第74-92页
    5.1 引言第74-75页
    5.2 不同纳米片厚度组装的SnO_2材料的制备及气敏性能第75-81页
        5.2.1 材料的制备第75页
        5.2.2 样品的表征与分析第75-77页
        5.2.3 气敏测试及分析第77-81页
    5.3 不同纳米片形貌组装的SnO_2材料的研制及气敏性能第81-91页
        5.3.1 材料的制备第81-82页
        5.3.2 样品的表征与分析第82-84页
        5.3.3 反应时间对半盛开花状结构形貌的影响第84-85页
        5.3.4 气敏性能测试与分析第85-90页
        5.3.5 生长机理分析第90-91页
    5.4 本章小结第91-92页
6 SnO_2气敏机理的实验与理论研究第92-110页
    6.1 引言第92-94页
    6.2 气敏机理实验研究第94-97页
        6.2.1 气敏性能测试第94-97页
    6.3 气敏机理的第一性原理研究第97-108页
        6.3.1 计算方案第97-99页
        6.3.2 氧吸附模型第99-105页
        6.3.3 非氧吸附模型第105-108页
    6.4 本章小结第108-110页
7 结论与展望第110-114页
    7.1 主要结论第110-111页
    7.2 后续工作展望第111-114页
致谢第114-116页
参考文献第116-128页
附录第128-129页
    攻读博士学位期间发表的论文第128-129页

论文共129页,点击 下载论文
上一篇:大学生志愿者短期支教活动的问题研究
下一篇:中国古代艺术作品产生的教育条件及功能分析--以《清明上河图》为例