| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 课题背景及其研究意义 | 第10-11页 |
| 1.2 国内外发展动态及其现状 | 第11-16页 |
| 1.2.1 LDMOS器件发展动态 | 第11-14页 |
| 1.2.2 LDMOS器件终端技术发展动态 | 第14-16页 |
| 1.3 本论文主要工作与内容安排 | 第16-17页 |
| 第二章 高压LDMOS器件版图结构及其耐压机理 | 第17-25页 |
| 2.1 高压LDMOS器件版图结构 | 第17-18页 |
| 2.2 直道有效区域耐压机理 | 第18-19页 |
| 2.3 终端区域耐压机理 | 第19-23页 |
| 2.4 本章小结 | 第23-25页 |
| 第三章 双埋层N沟道LDMOS终端结构的设计与实现 | 第25-49页 |
| 3.1 双埋层N沟道LDMOS器件结构 | 第25-28页 |
| 3.2 双埋层N沟道LDMOS器件设计 | 第28-39页 |
| 3.2.1 直道有效区域设计 | 第29-33页 |
| 3.2.2 弧形终端区域设计 | 第33-38页 |
| 3.2.3 交接区域设计 | 第38-39页 |
| 3.3 双埋层N沟道LDMOS器件实现 | 第39-47页 |
| 3.3.1 工艺流程 | 第40-42页 |
| 3.3.2 版图设计 | 第42-44页 |
| 3.3.3 实验结果 | 第44-47页 |
| 3.4 本章小结 | 第47-49页 |
| 第四章 具有表面低阻通道的LDMOS终端结构的设计与实现 | 第49-68页 |
| 4.1 具有表面低阻通道的LDMOS器件结构 | 第49-51页 |
| 4.2 具有表面低阻通道的LDMOS器件设计 | 第51-58页 |
| 4.2.1 直道有效区域设计 | 第51-54页 |
| 4.2.2 源中心终端区域设计 | 第54-58页 |
| 4.3 具有表面低阻通道的LDMOS器件实现 | 第58-67页 |
| 4.3.1 工艺流程 | 第58-61页 |
| 4.3.2 实验结果 | 第61-67页 |
| 4.4 本章小结 | 第67-68页 |
| 第五章 结论 | 第68-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-73页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第73-75页 |