| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 纳米MOS器件的发展及存在的问题 | 第10-12页 |
| 1.2 SOI技术的特点和优势 | 第12-14页 |
| 1.3 SOI技术的发展现状 | 第14-15页 |
| 1.4 课题来源及论文组织结构 | 第15-18页 |
| 第二章 SOI器件及半解析法的基础理论 | 第18-28页 |
| 2.1 厚膜和薄膜SOI器件及主要工作模式 | 第18-20页 |
| 2.2 经典SOIMOSFET模型介绍 | 第20-26页 |
| 2.2.1 抛物线模型 | 第20-24页 |
| 2.2.2 准二维模型 | 第24-26页 |
| 2.3 半解析法理论依据 | 第26-27页 |
| 2.4 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 FD SOI MOSFET二维半解析模型的研究 | 第28-52页 |
| 3.1 绪言 | 第28页 |
| 3.2 定解方程的建立及其边界条件的确定 | 第28-31页 |
| 3.3 FD SOI MOSFET电势模型 | 第31-42页 |
| 3.3.1 Ⅱ区电势的Possion方程解 | 第31-34页 |
| 3.3.2 Ⅰ区电势的Laplace方程解 | 第34-35页 |
| 3.3.3 Ⅲ区电势的Laplace方程解 | 第35-36页 |
| 3.3.4 衔接条件简化处理 | 第36-39页 |
| 3.3.5 待定系数求解 | 第39-42页 |
| 3.4 二维阈值电压模型 | 第42-45页 |
| 3.5 仿真结果与分析 | 第45-51页 |
| 3.6 本章小结 | 第51-52页 |
| 第四章 高K栅介质FD SOI MOSFET模型的研究 | 第52-72页 |
| 4.1 绪言 | 第52页 |
| 4.2 高k栅介质材料的基本特性 | 第52-54页 |
| 4.3 高k栅介质FD SOI MOSFET二维电势模型 | 第54-66页 |
| 4.3.1 泊松方程的建立及边界条件的确定 | 第54-57页 |
| 4.3.2 电势二维半解析模型的求解 | 第57-62页 |
| 4.3.3 待定系数的确定 | 第62-66页 |
| 4.4 二维阈值电压模型 | 第66-67页 |
| 4.5 仿真结果与分析 | 第67-70页 |
| 4.6 本章小结 | 第70-72页 |
| 第五章 纳米器件漏源寄生电阻的二维半解析模型 | 第72-94页 |
| 5.1 绪言 | 第72页 |
| 5.2 纳米器件中源漏寄生电阻的研究动态 | 第72-75页 |
| 5.3 漏源寄生电阻半解析模型 | 第75-86页 |
| 5.3.1 二维定解问题及边界条件 | 第76-79页 |
| 5.3.2 混合边界条件的处理 | 第79-81页 |
| 5.3.3 电势求解 | 第81-84页 |
| 5.3.4 电阻求解 | 第84-86页 |
| 5.4 模型验证与分析 | 第86-91页 |
| 5.4.1 电势模型验证 | 第86-87页 |
| 5.4.2 漏源寄生电阻模型验证 | 第87-91页 |
| 5.4.3 影响漏源寄生电阻的因素分析总结 | 第91页 |
| 5.5 本章总结 | 第91-94页 |
| 第六章 总结与展望 | 第94-98页 |
| 6.1 本文总结 | 第94-95页 |
| 6.2 对未来工作的展望 | 第95-98页 |
| 参考文献 | 第98-108页 |
| 附录A | 第108-112页 |
| 致谢 | 第112-114页 |
| 攻读博士学位期间的研究成果 | 第114-115页 |
