| 摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第17-31页 |
| 1.1 纳米技术概述 | 第17页 |
| 1.2 纳米线材料概述 | 第17-18页 |
| 1.3 硅纳米线材料的研究与应用 | 第18-22页 |
| 1.4 ZnO纳米材料的研究与应用 | 第22-26页 |
| 1.5 本论文的意义及主要工作 | 第26-27页 |
| 参考文献 | 第27-31页 |
| 第二章 肖特基势垒二极管基础理论 | 第31-36页 |
| 2.1 肖特基势垒二极管(SBD)的研究背景 | 第31页 |
| 2.2 理想情况下肖特基势垒的形成 | 第31-32页 |
| 2.3 肖特基势垒高度的影响因素 | 第32-34页 |
| 2.4 本章小结 | 第34页 |
| 参考文献 | 第34-36页 |
| 第三章 SiNWs及Pd/SiNWs阵列的制备与研究 | 第36-47页 |
| 3.1 SiNWs阵列的制备 | 第36-39页 |
| 3.1.1 SiNWs阵列生长原理 | 第36-37页 |
| 3.1.2 实验试剂及仪器 | 第37-38页 |
| 3.1.3 SiNWs阵列的制备 | 第38-39页 |
| 3.2 SiNWs阵列的表征 | 第39-40页 |
| 3.2.1 SiNWs阵列的SEM表征 | 第39-40页 |
| 3.2.2 SiNWs阵列的XRD表征 | 第40页 |
| 3.3 Pd/SiNWs阵列的制备 | 第40-43页 |
| 3.3.1 SiNWs阵列表面无电镀Pd原理 | 第41-42页 |
| 3.3.2 实验试剂及仪器 | 第42页 |
| 3.3.3 Pd/SiNWs阵列的制备方法 | 第42-43页 |
| 3.4 Pd/SiNWs阵列的表征 | 第43-45页 |
| 3.4.1 Pd/SiNWs阵列的SEM表征 | 第43-44页 |
| 3.4.2 Pd/SiNWs阵列的EDS表征 | 第44-45页 |
| 3.5 本章小结 | 第45页 |
| 参考文献 | 第45-47页 |
| 第四章 Pd/SiNWs/p-Si SBD结构常温氢气传感器研究 | 第47-65页 |
| 4.1 氢气传感器概述 | 第47-48页 |
| 4.2 氢气传感器制备与测试 | 第48-50页 |
| 4.2.1 SBD氢气传感器制备 | 第48-49页 |
| 4.2.2 氢气传感器的测试 | 第49-50页 |
| 4.3 氢气传感器的室温响应测试 | 第50-52页 |
| 4.3.1 Ⅰ-Ⅴ响应测试 | 第50-52页 |
| 4.3.2 恒电位测试 | 第52页 |
| 4.4 氢气传感器性能测试 | 第52-56页 |
| 4.4.1 响应时间 | 第52-53页 |
| 4.4.2 响应因子 | 第53-56页 |
| 4.5 Pd/SiNWs/p-Si SBD氢气传感器模型分析 | 第56-59页 |
| 4.5.1 化学吸附模型 | 第56页 |
| 4.5.2 Langmuir吸附模型 | 第56-57页 |
| 4.5.3 基于化学吸附模型的分析 | 第57-59页 |
| 4.6 Pd/SiNWs/p-Si SBD对氢气敏感机理分析 | 第59-60页 |
| 4.7 与同类传感器的比较 | 第60-61页 |
| 4.8 本章小结 | 第61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 第五章 Pd/SiNWs/p-Si SBD的电学特性研究 | 第65-79页 |
| 5.1 肖特基势垒二极管(SBD)的Ⅰ-Ⅴ特性 | 第65-68页 |
| 5.1.1 SBD电学特性测试 | 第65-66页 |
| 5.1.2 基于热电子发射理论理想情况下SBD的Ⅰ-Ⅴ特性 | 第66页 |
| 5.1.3 Pd/SiNWs/p-Si SBD的Ⅰ-Ⅴ特性 | 第66-68页 |
| 5.2 电学特性参数的提取 | 第68-71页 |
| 5.2.1 肖特基势垒二极管电学特性参数的提取方法 | 第68-69页 |
| 5.2.2 基于Chueng模型的参数提取 | 第69-71页 |
| 5.3 温度对Pd/SiNWs/p-Si SBD的影响 | 第71-75页 |
| 5.3.1 理想因子与温度的关系 | 第73-74页 |
| 5.3.2 势垒高度与温度的关系 | 第74-75页 |
| 5.3.3 串联电阻与温度的关系 | 第75页 |
| 5.4 氢气对Pd/SiNWs/p-Si SBD的参数影响 | 第75-76页 |
| 5.5 本章小结 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-79页 |
| 第六章 ZnO纳米材料的制备研究 | 第79-88页 |
| 6.1 化学水浴法制备ZnO纳米材料的原理 | 第79-80页 |
| 6.2 实验试剂及仪器 | 第80页 |
| 6.3 ZnO纳米结构的制备研究 | 第80-86页 |
| 6.3.1 ZnO纳米结构的制备 | 第80-82页 |
| 6.3.2 玻璃衬底上ZnO纳米线阵列的表征 | 第82-85页 |
| 6.3.3 聚酰亚胺(PI)衬底上生长ZnO纳米花的表征 | 第85-86页 |
| 6.4 本章小结 | 第86页 |
| 参考文献 | 第86-88页 |
| 第七章 基于ZnO纳米线阵列的湿度传感器 | 第88-105页 |
| 7.1 湿度传感器概述 | 第88-89页 |
| 7.2 ZnO纳米线阵列湿度传感器敏感机理 | 第89-91页 |
| 7.2.1 ZnO纳米线阵列湿度传感器制备 | 第89-90页 |
| 7.2.2 ZnO纳米线阵列湿度传感器的等效电路模型 | 第90页 |
| 7.2.3 ZnO纳米线阵列湿度传感器敏感机理 | 第90-91页 |
| 7.3 湿度传感器的湿度测试系统 | 第91-93页 |
| 7.4 ZnO纳米线阵列湿度传感器的电容响应 | 第93-97页 |
| 7.4.1 灵敏度与线性度 | 第93-95页 |
| 7.4.2 迟滞性 | 第95-96页 |
| 7.4.3 重复性 | 第96页 |
| 7.4.4 响应时间与恢复时间 | 第96-97页 |
| 7.5 ZnO纳米线阵列湿度传感器的电阻响应 | 第97-101页 |
| 7.5.1 灵敏度与线性度 | 第97-99页 |
| 7.5.2 迟滞性 | 第99-100页 |
| 7.5.3 重复性 | 第100页 |
| 7.5.4 响应时间与恢复时间 | 第100-101页 |
| 7.6 湿度传感器的性能比较 | 第101-102页 |
| 7.7 本章小结 | 第102页 |
| 参考文献 | 第102-105页 |
| 第八章 总结与展望 | 第105-107页 |
| 致谢 | 第107-108页 |
| 硕士论文期间发表文章 | 第108页 |
