| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 半导体纳米晶的概述和基本特征 | 第10-12页 |
| 1.1.1 半导体纳米晶的概述 | 第10页 |
| 1.1.2 半导体纳米晶的基本特征 | 第10-12页 |
| 1.2 ZnO简介 | 第12-15页 |
| 1.2.1 ZnO的基本性质 | 第12-13页 |
| 1.2.2 ZnO的应用 | 第13-14页 |
| 1.2.3 ZnO研究现状 | 第14-15页 |
| 1.3 ZnO半导体纳米晶的制备技术 | 第15页 |
| 1.4 ZnO的改性 | 第15-16页 |
| 1.4.1 ZnO量子点的表面修饰 | 第16页 |
| 1.4.2 ZnO的掺杂 | 第16页 |
| 1.5 本文的立题思想与研究内容 | 第16-18页 |
| 第2章 实验设备与原理 | 第18-28页 |
| 2.1 多功能作用光谱仪的简介 | 第19-24页 |
| 2.1.1 多功能作用光谱仪设备组成 | 第19-20页 |
| 2.1.2 表面光电压测试原理 | 第20-23页 |
| 2.1.3 场诱导表面光电压测试原理 | 第23-24页 |
| 2.2 结构与成分表征技术的简介 | 第24-26页 |
| 2.2.1 X射线衍射(XRD) | 第24-25页 |
| 2.2.2 透射电子显微镜(TEM) | 第25页 |
| 2.2.3 能谱仪(EDS) | 第25页 |
| 2.2.4 傅里叶变换红外光谱(FT-IR) | 第25-26页 |
| 2.3 光学性能测试仪器的简介 | 第26-28页 |
| 2.3.1 紫外-可见吸收光谱 | 第26-27页 |
| 2.3.2 光致发光光谱 | 第27-28页 |
| 第3章 ZnO纳米晶的制备与表征 | 第28-52页 |
| 3.1 ZnO量子点的合成 | 第28-35页 |
| 3.1.1 实验仪器与原料 | 第28-29页 |
| 3.1.2 ZnO量子点的合成步骤 | 第29页 |
| 3.1.3 ZnO量子点结构与成分的表征 | 第29-32页 |
| 3.1.4 ZnO量子点的光学性能分析 | 第32-35页 |
| 3.2 改性的ZnO量子点的合成与优化 | 第35-38页 |
| 3.2.1 ME表面修饰ZnO量子点的合成与优化 | 第36-38页 |
| 3.2.2 TGA与MPA表面修饰ZnO量子点的合成与优化 | 第38页 |
| 3.2.3 Ag掺杂ZnO量子点的合成与优化 | 第38页 |
| 3.3 改性的ZnO量子点结构与成分的表征 | 第38-45页 |
| 3.3.1 XRD分析 | 第39-40页 |
| 3.3.2 FT-IR分析 | 第40-43页 |
| 3.3.3 EDS能谱分析 | 第43-44页 |
| 3.3.4 TEM分析 | 第44-45页 |
| 3.4 改性的ZnO量子点光学性能的分析 | 第45-50页 |
| 3.5 本章小节 | 第50-52页 |
| 第4章 外电场对ZnO量子点表面光电压的影响 | 第52-57页 |
| 4.1 ME修饰的ZnO量子点的EFISPS | 第52-53页 |
| 4.2 TGA修饰的Zn O量子点的EFISPS | 第53-54页 |
| 4.3 MPA修饰的ZnO量子点的EFISPS | 第54页 |
| 4.4 金属Ag掺杂的ZnO量子点的EFISPS | 第54-55页 |
| 4.5 改性Zn O量子点的EFISPS对比 | 第55-56页 |
| 4.6 本章小结 | 第56-57页 |
| 结论 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-61页 |
| 攻读硕士学位期间承担的科研任务与主要成果 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62页 |