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高频电源场路耦合仿真及实验研究

摘要第4-5页
Abstract第5页
第1章 绪论第8-13页
    1.1 课题研究的目的与意义第8-10页
        1.1.1 课题研究背景第8页
        1.1.2 高频变压器的设计准则第8-9页
        1.1.3 课题研究意义第9-10页
    1.2 本课题的国内外研究现状第10-11页
        1.2.1 电磁性能研究第10页
        1.2.2 磁芯优选和绕组优化优化第10-11页
        1.2.3 场路耦合仿真研究第11页
    1.3 本文研究内容第11-13页
第2章 高频变压器磁芯结构及铁损研究第13-34页
    2.1 高频变压器工作环境及性能指标第13页
    2.2 AP法变压器结构的设计及有限元分析第13-20页
        2.2.1 AP法变压器结构设计第13-14页
        2.2.2 AP法模型的磁饱和特性有限元分析第14-15页
        2.2.3 场路耦合仿真平台第15-20页
    2.3 不同磁芯的磁饱和性能研究第20-22页
    2.4 铁损的计算第22-25页
        2.4.1 基于修正Steinmetz公式的铁损计算第22-23页
        2.4.2 有限元法铁损仿真第23-25页
    2.5 不同磁芯的温度场仿真第25-31页
        2.5.1 高频变压器基本结构及冷却方式第25-26页
        2.5.2 仿真计算第26-31页
    2.6 高频变压器关实验第31-33页
        2.6.1 高频变压器相关参数的测定第31-32页
        2.6.2 利用示波器检测高频变压器磁饱和第32-33页
    2.7 结论第33-34页
第3章 高频变压器高频铜耗的研究第34-51页
    3.1 导体的趋肤效应和临近效应第34-36页
        3.1.1 趋肤效应第34-35页
        3.1.2 邻近效应第35-36页
    3.2 高频铜损影响第36-45页
        3.2.1 频率与高频铜耗的影响第36-37页
        3.2.2 绕组线径与高频铜耗的关系第37-38页
        3.2.3 绕组并绕根数与高频铜耗的关系第38-40页
        3.2.4 交叉换位高频铜耗的影响第40-43页
        3.2.5 绕组摆放位置与高频铜耗的关系第43-45页
    3.3 基于有限元法设计绕组第45-48页
    3.4 高频铜耗实验第48-49页
    3.5 本章小结第49-51页
第4章 高频电源场路耦合仿真研究第51-57页
    4.1 控制芯片UCCX8C40的介绍第51-52页
    4.2 主要指标及电路结构第52-53页
    4.3 波形仿真与结果分析第53-55页
    4.4 仿真实验测试第55-56页
        4.4.1 准确度及调整率仿真测试第55页
        4.4.2 纹波测试第55-56页
    4.5 本章小结第56-57页
第5章 总结与展望第57-58页
参考文献第58-61页
致谢第61-62页
附录第62页

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