| 摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-23页 |
| 1.1 集成电路的研究现状 | 第11页 |
| 1.2 互连的定义及发展方向 | 第11-13页 |
| 1.2.1 互连 | 第11-12页 |
| 1.2.2 Cu互连 | 第12-13页 |
| 1.3 扩散阻挡层研究现状 | 第13-18页 |
| 1.3.1 扩散机制 | 第13-14页 |
| 1.3.2 阻挡层分类 | 第14-16页 |
| 1.3.3 阻挡层制备方法 | 第16-18页 |
| 1.3.4 阻挡层存在的问题 | 第18页 |
| 1.4 Nb基扩散阻挡层研究现状 | 第18-20页 |
| 1.4.1 Nb-Si材料研究进展 | 第19页 |
| 1.4.2 Nb基阻挡层研究进展 | 第19-20页 |
| 1.5 选题背景和主要研究内容 | 第20-23页 |
| 1.5.1 选题背景 | 第20-21页 |
| 1.5.2 主要研究内容 | 第21-23页 |
| 第2章 实验条件及研究方法 | 第23-33页 |
| 2.1 实验用原材料和表面预处理 | 第23-24页 |
| 2.1.1 实验材料 | 第23页 |
| 2.1.2 实验预处理 | 第23-24页 |
| 2.2 Cu/Nb_xSi_(1-x)/Si样品的制备 | 第24-25页 |
| 2.2.1 射频溅射和直流溅射 | 第24-25页 |
| 2.2.2 Nb_xSi_(1-x)薄膜及Cu膜制备工艺 | 第25页 |
| 2.2.3 退火处理 | 第25页 |
| 2.3 Cu/Nb_xSi_(1-x)/Si样品的表征 | 第25-31页 |
| 2.3.1 XRD | 第25-27页 |
| 2.3.2 SEM | 第27页 |
| 2.3.3 AFM | 第27-28页 |
| 2.3.4 TEM | 第28页 |
| 2.3.5 FPP | 第28-29页 |
| 2.3.6 XPS | 第29-31页 |
| 2.4 本章小结 | 第31-33页 |
| 第3章 Nb_xSi_(1-x)薄膜的组成成分、微观结构与电学性能表征 | 第33-45页 |
| 3.1 沉积态Nb_xSi_(1-x)薄膜XPS分析 | 第33-36页 |
| 3.2 沉积态Nb_xSi_(1-x)薄膜厚度测量 | 第36-37页 |
| 3.3 沉积态Nb_xSi_(1-x)薄膜XRD分析 | 第37-38页 |
| 3.4 沉积态Nb_xSi_(1-x)薄膜AFM分析 | 第38-39页 |
| 3.5 沉积态Nb_xSi_(1-x)薄膜TEM分析 | 第39-44页 |
| 3.6 沉积态Nb_xSi_(1-x)薄膜FPP分析 | 第44页 |
| 3.7 本章小结 | 第44-45页 |
| 第4章 Cu/Nb_xSi_(1-x)/Si样品的电学性能和热稳定性分析 | 第45-65页 |
| 4.1 Cu/Nb_xSi_(1-x)/Si样品退火处理前后电阻率变化 | 第45-46页 |
| 4.2 Cu/Nb_xSi_(1-x)/Si样品退火处理前后XRD分析 | 第46-49页 |
| 4.3 Cu/Nb_xSi_(1-x)/Si样品退火处理前后SEM分析 | 第49-54页 |
| 4.4 Cu/Nb_(89)Si_(11)/Si样品沿深度方向元素分布分析 | 第54-63页 |
| 4.5 本章小结 | 第63-65页 |
| 结论 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-73页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文和取得的科研成果 | 第73-75页 |
| 致谢 | 第75页 |
