| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 符号对照表 | 第10-11页 |
| 缩略语对照表 | 第11-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-21页 |
| 1.1 AlN材料的研究意义 | 第15-16页 |
| 1.2 AlN材料国内外研究现状 | 第16-20页 |
| 1.2.1 AlN材料国外研究现状 | 第16-19页 |
| 1.2.2 AlN材料国内研究现状 | 第19-20页 |
| 1.3 本论文的主要工作 | 第20-21页 |
| 第二章 MOCVD生长AlN的化学反应动力学分析 | 第21-35页 |
| 2.1 AlN材料性质 | 第21-22页 |
| 2.1.1 物理与化学性质 | 第21页 |
| 2.1.2 电学特性 | 第21页 |
| 2.1.3 光学特性 | 第21-22页 |
| 2.2 AlN的晶格结构 | 第22-23页 |
| 2.3 AlN生长技术 | 第23-24页 |
| 2.3.1 分子束外延 | 第23页 |
| 2.3.2 金属有机化合物气相淀积 | 第23-24页 |
| 2.4 AlN生长模式 | 第24-25页 |
| 2.4.1 Volmer-Weber形式 | 第24-25页 |
| 2.4.2 Frank-Vander形式 | 第25页 |
| 2.4.3 Stranski-Krastanov形式 | 第25页 |
| 2.5 MOCVD生长AlN的气相反应动力学 | 第25-27页 |
| 2.5.1 质量作用定律 | 第26页 |
| 2.5.2 阿伦尼乌斯定理 | 第26-27页 |
| 2.5.3 有效碰撞理论 | 第27页 |
| 2.6 MOCVD生长AlN的表面反应动力学 | 第27-28页 |
| 2.6.1 表面吸附的基本原理 | 第27-28页 |
| 2.6.2 表面脱附的基本原理 | 第28页 |
| 2.7 MOCVD生长AlN的化学反应机理 | 第28-32页 |
| 2.7.1 气相化学反应机理 | 第29-31页 |
| 2.7.2 表面化学反应机理 | 第31-32页 |
| 2.8 AlN的反应路径 | 第32-34页 |
| 2.8.1 热分解路径 | 第33页 |
| 2.8.2 加合路径 | 第33页 |
| 2.8.3 AlN生长中最快反应路径 | 第33-34页 |
| 2.9 本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 MOCVD生长AlN材料的Grove模型 | 第35-47页 |
| 3.1 Grove理论 | 第35-38页 |
| 3.1.1 附面层理论 | 第35-36页 |
| 3.1.2 流密度模型 | 第36-37页 |
| 3.1.3 生长速率模型 | 第37-38页 |
| 3.2 基于Grove理论的AlN生长速率模型 | 第38-40页 |
| 3.2.1 反应速率常数k_s | 第38-39页 |
| 3.2.2 气相输运系数h_g | 第39-40页 |
| 3.2.3 单位体积内的总分子数 | 第40页 |
| 3.2.4 单位氮化铝薄膜所含分子数 | 第40页 |
| 3.2.5 三甲基铝在混合气体中的百分比 | 第40页 |
| 3.3 Grove模型计算结果与实验结果验证 | 第40-45页 |
| 3.3.1 AlN分子生长速率与温度T之间的关系 | 第41-42页 |
| 3.3.2 AlN分子生长速率与压强p之间的关系 | 第42页 |
| 3.3.3 表面粗糙度 | 第42-45页 |
| 3.4 本章小结 | 第45-47页 |
| 第四章 MOCVD生长AlN材料的KMC模型 | 第47-63页 |
| 4.1 模拟材料生长的几种方法 | 第47-50页 |
| 4.1.1 第一性原理 | 第47页 |
| 4.1.2 分子动力学方法 | 第47-48页 |
| 4.1.3 蒙特卡洛算法 | 第48-50页 |
| 4.2 KMC生长动力学模型 | 第50-58页 |
| 4.2.1 KMC方法在模拟AlN材料生长中的基本流程 | 第50-51页 |
| 4.2.2 AlN生长的KMC模型 | 第51-58页 |
| 4.3 KMC模型模拟结果 | 第58-61页 |
| 4.3.1 初始动力学过程与晶核的形成 | 第58页 |
| 4.3.2 分子聚合、成熟和薄膜生长 | 第58-61页 |
| 4.4 本章小结 | 第61-63页 |
| 第五章 总结与展望 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-71页 |
| 致谢 | 第71-73页 |
| 作者简介 | 第73-74页 |