| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-22页 |
| 1.1 红外探测技术的发展和便携红外探测器的基本组成部分 | 第11-12页 |
| 1.2 红外探测模块材料的选取 | 第12-14页 |
| 1.3 数据存储与调用模块材料的选择 | 第14-15页 |
| 1.4 数据处理分析模块材料的选择 | 第15-16页 |
| 1.5 续航模块材料的选择 | 第16-17页 |
| 1.6 本论文工作简介 | 第17-19页 |
| 参考文献 | 第19-22页 |
| 第二章 理论计算方法 | 第22-32页 |
| 2.1 第一性原理计算 | 第22-23页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第23-28页 |
| 2.2.1 绝热近似 | 第23页 |
| 2.2.2 Hartree-Fock近似 | 第23-24页 |
| 2.2.3 Hohenberg-Kohn定理 | 第24-25页 |
| 2.2.4 Kohn-Sham方程 | 第25页 |
| 2.2.5 交换关联势 | 第25-27页 |
| 2.2.6 势函数和基函数的选取 | 第27-28页 |
| 2.3 常见的第一性原理计算软件简介 | 第28-30页 |
| 参考文献 | 第30-32页 |
| 第三章 锑化铟(110)表面氧吸附和硫吸附的研究 | 第32-44页 |
| 3.1 引言 | 第32-33页 |
| 3.2 计算方法和模型 | 第33-36页 |
| 3.2.1 利用CASTEP计算InSb的晶格常数 | 第33-34页 |
| 3.2.2 用VASP来计算InSb的晶格常数 | 第34-35页 |
| 3.2.3 在VASP中引入PAW势来计算InSb的晶格常数 | 第35-36页 |
| 3.2.4 在优化后的结构上对InSb做氧化和硫化处理 | 第36页 |
| 3.3 计算结果及分析 | 第36-42页 |
| 3.3.1 清洁的InSb(110)表面 | 第36-37页 |
| 3.3.2 O和S原子在InSb(110)表面的吸附能 | 第37-39页 |
| 3.3.3 O和S原子在InSb(110)表面的吸附结构 | 第39-40页 |
| 3.3.4 O和S原子在InSb(110)表面吸附的电子结构 | 第40-42页 |
| 3.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-44页 |
| 第四章 ABi_2Nb_2O_9(A=Ba,Pb,Sr,Ca)的电子结构和自发极化的第一性原理研究 | 第44-57页 |
| 4.1 引言 | 第44-46页 |
| 4.2 计算方法和模型 | 第46-47页 |
| 4.3 计算结果和讨论 | 第47-55页 |
| 4.3.1 结构性质 | 第47-48页 |
| 4.3.2 电子结构和铁电性质 | 第48-51页 |
| 4.3.3 化学键 | 第51-53页 |
| 4.3.4 自发极化 | 第53-55页 |
| 4.4 本章小结 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-57页 |
| 第五章 石墨烯的结构缺陷和性质的研究 | 第57-82页 |
| 5.1 引言 | 第57页 |
| 5.2 石墨烯中的几种缺陷 | 第57-69页 |
| 5.2.1 点缺陷:Stone-wales缺陷 | 第58-59页 |
| 5.2.2 单空位缺陷 | 第59-60页 |
| 5.2.3 多空位缺陷 | 第60-63页 |
| 5.2.4 碳吸附形成的缺陷 | 第63-65页 |
| 5.2.5 其余的吸附原子 | 第65-66页 |
| 5.2.6 杂质原子的置换 | 第66-67页 |
| 5.2.7 石墨烯的拓扑缺陷 | 第67页 |
| 5.2.8 一维缺陷:类似于位错的缺陷 | 第67-68页 |
| 5.2.9 石墨烯层边缘的缺陷 | 第68页 |
| 5.2.10 双层石墨烯的缺陷 | 第68-69页 |
| 5.3 石墨烯缺陷的生长 | 第69-70页 |
| 5.3.1 晶体生长形成缺陷 | 第69-70页 |
| 5.3.2 粒子照射形成缺陷 | 第70页 |
| 5.3.3 化学方法形成缺陷 | 第70页 |
| 5.4 缺陷石墨烯的性质 | 第70-73页 |
| 5.4.1 单空位,双空位及SW,12缺陷性质的比较 | 第70-72页 |
| 5.4.2 化学性质 | 第72页 |
| 5.4.3 磁性质 | 第72-73页 |
| 5.4.4 机械性质 | 第73页 |
| 5.5 本章小结 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-82页 |
| 第六章 本征缺陷对VS_2基底平面上析氢反应的电催化活性的作用 | 第82-98页 |
| 6.1 引言 | 第82-83页 |
| 6.2 计算方法和模型 | 第83-86页 |
| 6.3 结果和讨论 | 第86-92页 |
| 6.4 本章小结 | 第92-93页 |
| 参考文献 | 第93-98页 |
| 第七章 总结和展望 | 第98-101页 |
| 7.1 总结 | 第98-99页 |
| 7.2 展望 | 第99-101页 |
| 致谢 | 第101-103页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第103页 |
