高功率脉冲磁控溅射技术及铁电可调谐微波元件的研究
| 中文摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| ·论文研究背景及意义 | 第10-12页 |
| ·HiPIMS技术及BST薄膜制备国内外研究状态 | 第12-18页 |
| ·本论文研究内容及主要架构 | 第18-20页 |
| 第二章 HiPIMS技术 | 第20-40页 |
| ·离子化物理气相沉积技术 | 第20-26页 |
| ·HiPIMS技术特点 | 第26-28页 |
| ·HiPIMS高真空溅镀系统 | 第28-31页 |
| ·HiPIMS等离子特性 | 第31-38页 |
| ·等离子体放电原理 | 第31-32页 |
| ·辉光放电机制 | 第32-33页 |
| ·德拜遮罩 | 第33-34页 |
| ·Langmuir探测技术 | 第34-38页 |
| ·小结 | 第38-40页 |
| 第三章 基于HiPIMS技术氧化锆薄膜的研究 | 第40-62页 |
| ·靶材粒子路径模型 | 第40-44页 |
| ·氧化锆薄膜制备与分析 | 第44-46页 |
| ·HiPIMS实验 | 第44-46页 |
| ·光学特性分析 | 第46页 |
| ·漏电流实验 | 第46页 |
| ·氧含量对薄膜结构及性能的影响 | 第46-54页 |
| ·靶材峰值电流-电压与功率密度特性 | 第46-48页 |
| ·薄膜表面特征研究 | 第48-51页 |
| ·光学特性 | 第51-54页 |
| ·电学特性 | 第54页 |
| ·脉冲参数对薄膜结构及性能的影响 | 第54-60页 |
| ·锆原子的平均电离长度 | 第54-55页 |
| ·脉冲关闭时间对沉积的影响 | 第55-57页 |
| ·薄膜表面特征研究 | 第57-58页 |
| ·光学特性 | 第58-59页 |
| ·电学特性 | 第59-60页 |
| ·小结 | 第60-62页 |
| 第四章 钛酸锶钡薄膜及其变容器的研究 | 第62-78页 |
| ·铁电材料的特性 | 第62-65页 |
| ·铁电特性 | 第62-63页 |
| ·滞回特性 | 第63-64页 |
| ·介电特性 | 第64-65页 |
| ·RF磁控溅镀原理 | 第65-66页 |
| ·钛酸锶钡薄膜的制备 | 第66-68页 |
| ·沉积参数对BST薄膜镀率的影响 | 第68-72页 |
| ·基板温度 | 第68-69页 |
| ·溅射气压 | 第69页 |
| ·靶材-基板距离 | 第69-71页 |
| ·靶材功率 | 第71页 |
| ·氧气含量 | 第71-72页 |
| ·BST薄膜变容器 | 第72-76页 |
| ·实验步骤 | 第72-73页 |
| ·变容器的C-V特性 | 第73-76页 |
| ·小结 | 第76-78页 |
| 第五章 可调谐微波元件的研究 | 第78-112页 |
| ·定向耦合器 | 第78-87页 |
| ·耦合线耦合器 | 第78-81页 |
| ·耦合线的奇偶模分析 | 第81-85页 |
| ·顺向、反向和转向耦合器 | 第85-87页 |
| ·周期性负载耦合器 | 第87-99页 |
| ·周期性负载耦合线 | 第87-90页 |
| ·周期性负载耦合器的设计 | 第90-91页 |
| ·顺向耦合器的设计 | 第91-94页 |
| ·转向耦合器的设计 | 第94-99页 |
| ·可调谐移相器的设计 | 第99-107页 |
| ·移相器设计原理 | 第99-102页 |
| ·仿真BST变容器 | 第102-103页 |
| ·ADS模拟BST移相器 | 第103-105页 |
| ·HFSS模拟BST移相器 | 第105-107页 |
| ·TRL矫正技术 | 第107-110页 |
| ·小结 | 第110-112页 |
| 第六章 两种高增益阵列天线的设计 | 第112-126页 |
| ·高增益定向阵列天线 | 第112-117页 |
| ·锥形振子结构的宽带双极化天线 | 第117-124页 |
| ·小结 | 第124-126页 |
| 第七章 结论与展望 | 第126-130页 |
| 参考文献 | 第130-142页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第142-144页 |
| 致谢 | 第144-145页 |
