| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-13页 |
| ·CMOS 图像传感器概述 | 第8-11页 |
| ·课题背景与目标 | 第11-12页 |
| ·论文结构安排 | 第12-13页 |
| 第二章 TDI 型 CMOS 图像传感器像素 | 第13-20页 |
| ·CMOS 图像传感器 4T 像素原理 | 第13-16页 |
| ·像素工作过程 | 第13-15页 |
| ·像素工作时序 | 第15-16页 |
| ·TDI 型 CMOS 图像传感器工作原理简介 | 第16-18页 |
| ·TDI 型 CMOS 图像传感器的像素设计重点与难点 | 第18-20页 |
| 第三章 TDI 型 CIS 像素工艺基本流程 | 第20-40页 |
| ·软件仿真平台介绍 | 第20-27页 |
| ·Sentaurus 二维仿真 | 第22-25页 |
| ·Sentaurus 三维仿真 | 第25-27页 |
| ·像素工艺具体流程 | 第27-40页 |
| ·外延 | 第28页 |
| ·浅沟槽隔离 Trench | 第28-29页 |
| ·栅前离子注入 | 第29-31页 |
| ·栅的形成 | 第31-33页 |
| ·N 埋层注入 SEN 以及轻掺杂漏 NLDD2 | 第33-35页 |
| ·SPACER 的形成 | 第35-37页 |
| ·源漏重掺杂注入 NPLUS 以及表面嵌位层 CPI2 注入 | 第37-40页 |
| 第四章 TDI 型 CIS 像素设计 | 第40-52页 |
| ·PPD 的设计 | 第40-43页 |
| ·非均匀传输沟道 | 第43-46页 |
| ·传输沟道与 PPD 的连接区域 | 第46-50页 |
| ·R1 区与传输栅交叠长度调整 | 第47-48页 |
| ·R1 区掺杂剂量调整 | 第48-49页 |
| ·APT 注入交叠长度调整 | 第49-50页 |
| ·调整效果 | 第50-52页 |
| 第五章 TDI 型 CIS 像素流片及测试 | 第52-71页 |
| ·像素流片工艺条件 | 第52-61页 |
| ·栅前栅后两次 N 型注入形成 N 埋层 | 第52-53页 |
| ·栅后一次倾斜 N 型注入形成 N 埋层 | 第53-55页 |
| ·栅后一次垂直 N 型注入形成 N 埋层 | 第55页 |
| ·APT 注入对漏电的影响 | 第55-60页 |
| ·流片工艺条件 | 第60-61页 |
| ·像素流片版图设计 | 第61-63页 |
| ·64×128 像素阵列版图设计 | 第61-62页 |
| ·2×16 像素阵列版图设计 | 第62-63页 |
| ·像素测试分析 | 第63-71页 |
| ·像素功能测试分析 | 第65-66页 |
| ·像素满阱容量测试分析 | 第66-68页 |
| ·像素暗电流测试分析 | 第68-71页 |
| 第六章 总结与展望 | 第71-72页 |
| ·总结 | 第71页 |
| ·展望 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-76页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第76-77页 |
| 致谢 | 第77页 |