| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-19页 |
| ·课题背景及研究意义 | 第8-9页 |
| ·气敏传感器 | 第9-14页 |
| ·气敏传感器的概况 | 第9页 |
| ·常见气敏传感器的分类 | 第9-11页 |
| ·气敏传感器的主要特性指标 | 第11-14页 |
| ·气敏传感器的研究进展 | 第14-17页 |
| ·气敏传感器的研究发展趋势 | 第14-15页 |
| ·氧化钨薄膜气敏传感器的研究进展 | 第15-17页 |
| ·热处理工艺的发展 | 第17页 |
| ·本文的研究目标和内容 | 第17-19页 |
| 第二章 实验相关的理论知识 | 第19-29页 |
| ·氧化钨的基本特征及气敏机理 | 第19-23页 |
| ·WO_3的晶体结构 | 第19-20页 |
| ·电阻型气敏传感器的敏感机理 | 第20-22页 |
| ·氧化钨气敏传感器气敏特性的影响因素 | 第22-23页 |
| ·磁控溅射镀膜原理 | 第23-25页 |
| ·WO3 薄膜的制备工艺 | 第23页 |
| ·磁控溅射镀膜原理 | 第23-25页 |
| ·热处理工艺原理 | 第25页 |
| ·微观形貌分析及晶体结构分析技术 | 第25-27页 |
| ·场发射扫描电子显微镜（FESEM）技术 | 第25-26页 |
| ·X 射线衍射（XRD）分析技术 | 第26页 |
| ·原子力显微镜（AFM） | 第26-27页 |
| ·金属氧化物半导体气敏性能的光激励原理 | 第27-29页 |
| ·光照在金属氧化物薄膜中引发的反应 | 第27-28页 |
| ·光照下的金属氧化物半导体薄膜的气敏性能 | 第28-29页 |
| 第三章 氧化钨薄膜气敏传感器的制备与性能测试 | 第29-42页 |
| ·主要实验设备介绍 | 第29-33页 |
| ·DPS-III 型超高真空对靶磁控溅射镀膜机 | 第29-30页 |
| ·快速退火炉 | 第30-32页 |
| ·其它试验设备简介 | 第32-33页 |
| ·实验流程 | 第33-34页 |
| ·氧化钨薄膜的沉积制备 | 第34-38页 |
| ·实验前的准备工作 | 第34-35页 |
| ·射频磁控溅射 Pt 电极和反应磁控溅射 WO3 薄膜 | 第35-38页 |
| ·氧化钨薄膜热处理工艺 | 第38-42页 |
| ·常规热处理 | 第38-39页 |
| ·快速热处理 | 第39-41页 |
| ·常规热处理与快速热处理对比实验 | 第41页 |
| ·快速热处理最佳参数的确定 | 第41-42页 |
| 第四章 微观结构表征及气敏测试 | 第42-57页 |
| ·薄膜微观结构表征 | 第42-49页 |
| ·常规热处理与快速热处理的微观形貌及晶体结构对比 | 第42-46页 |
| ·不同参数的快速热处理样片对比 | 第46-49页 |
| ·气敏性能测试 | 第49-57页 |
| ·LED 辐照与初始电阻的关系 | 第49-51页 |
| ·快速热处理和常规热处理的气敏性能比较 | 第51-54页 |
| ·快速热处理后的样片的气敏特性 | 第54-57页 |
| 第五章 结论与展望 | 第57-59页 |
| ·结论 | 第57-58页 |
| ·工作展望 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64页 |