| 摘要 | 第1-8页 |
| ABSTRACT | 第8-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-21页 |
| ·研究背景 | 第14页 |
| ·碳化硅的结构、性能及应用 | 第14-17页 |
| ·碳化硅的结构、性能 | 第14-16页 |
| ·碳化硅的应用 | 第16-17页 |
| ·纳米材料 | 第17-19页 |
| ·纳米材料简介 | 第17-18页 |
| ·纳米材料应用 | 第18-19页 |
| ·本文研究的目的、内容和意义 | 第19-21页 |
| ·本文的研究目的 | 第19页 |
| ·本文的研究内容 | 第19-20页 |
| ·本文的研究意义 | 第20-21页 |
| 第二章 研究方法 | 第21-34页 |
| ·模拟(分子动力学)部分 | 第21-26页 |
| ·分子动力学的基本原理 | 第21-22页 |
| ·力场 | 第22-23页 |
| ·分子动力学的统计系综 | 第23页 |
| ·周期性边界条件 | 第23-25页 |
| ·系统约束的方法 | 第25-26页 |
| ·实验部分 | 第26-34页 |
| ·试验材料 | 第26页 |
| ·薄膜的制备 | 第26-30页 |
| ·磁控溅射技术 | 第26-28页 |
| ·薄膜制备基本工艺过程 | 第28-30页 |
| ·薄膜的性能表征 | 第30-34页 |
| ·扫描电子显微分析(SEM)和成分能谱分析(EDS) | 第30页 |
| ·纳米力学性能 | 第30-31页 |
| ·摩擦磨损试验 | 第31-32页 |
| ·轮廓仪测量 | 第32页 |
| ·拉曼光谱(Raman) | 第32-34页 |
| 第三章 SiC单晶块体拉伸、压缩变形行为MD模拟 | 第34-47页 |
| ·引言 | 第34-35页 |
| ·分子动力学模拟 | 第35-37页 |
| ·掺杂体系势能函数的选取 | 第35页 |
| ·3C-SiC、C元素掺杂(5 atm.%)3C-SiC单晶块体模型 | 第35-36页 |
| ·模拟过程 | 第36-37页 |
| ·模拟结果及讨论 | 第37-46页 |
| ·3C-SiC、C元素掺杂3C-SiC单晶块体拉伸变形分析 | 第37-41页 |
| ·3C-SiC、C元素掺杂3C-SiC单晶块体压缩变形分析 | 第41-45页 |
| ·不同应变率下3C-SiC单晶块体的拉伸变形 | 第45-46页 |
| ·结论及分析 | 第46-47页 |
| 第四章 元素掺杂对SiC块体力学性能影响MD模拟 | 第47-56页 |
| ·引言 | 第47页 |
| ·分子动力学模拟 | 第47-52页 |
| ·Tersoff势能函数 | 第47-49页 |
| ·Universal(universal force field,UFF)势能函数 | 第49-50页 |
| ·3C-SiC单晶掺杂模型 | 第50-51页 |
| ·SiC非晶掺杂模型 | 第51-52页 |
| ·模拟结果 | 第52-54页 |
| ·3C-SiC单晶块体弹性模量的掺杂效应 | 第52页 |
| ·SiC非晶弹性模量的掺杂效应 | 第52-53页 |
| ·3C-SiC单晶和SiC非晶弹性模量的掺杂效应的共性 | 第53-54页 |
| ·分析 | 第54-55页 |
| ·结论 | 第55-56页 |
| 第五章 C元素掺杂对SiC薄膜力学与摩擦磨损性能的影响 | 第56-69页 |
| ·引言 | 第56页 |
| ·试验方法 | 第56-57页 |
| ·试验结果 | 第57-68页 |
| ·微观组织形貌 | 第57-58页 |
| ·薄膜的界面特征 | 第58-59页 |
| ·Raman分析 | 第59-61页 |
| ·纳米压痕 | 第61-63页 |
| ·摩擦系数 | 第63-65页 |
| ·磨损表面SEM形貌 | 第65-68页 |
| ·讨论 | 第68页 |
| ·结论 | 第68-69页 |
| 第六章 纳米晶体Tj表面磁控溅射CNx/SiC薄膜的干摩擦磨损性能 | 第69-75页 |
| ·引言 | 第69页 |
| ·试验方法 | 第69-70页 |
| ·试验结果 | 第70-73页 |
| ·CNx薄膜的SEM形貌 | 第70页 |
| ·薄膜基体横截面SEM形貌 | 第70-71页 |
| ·薄膜的纳米压痕行为 | 第71-72页 |
| ·摩擦磨损性能 | 第72-73页 |
| ·讨论 | 第73-74页 |
| ·结论 | 第74-75页 |
| 全文研究工作总结 | 第75-77页 |
| 本文研究的创新点 | 第77-78页 |
| 致谢 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-85页 |
| 硕士学位期间成果(学术论文、专利、参与项目) | 第85-86页 |
