| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstracts | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| ·引言 | 第7页 |
| ·气敏传感器概况 | 第7-10页 |
| ·各类气体传感器简介 | 第8-10页 |
| ·气体传感器的应用 | 第10页 |
| ·SiC 基气敏传感器概况 | 第10-13页 |
| ·有关 SiC 材料的特性 | 第10-11页 |
| ·SiC 基气体传感器的特点 | 第11-13页 |
| ·主要内容和意义 | 第13-15页 |
| 第二章 器件响应机理及物理模型 | 第15-35页 |
| ·SiC 气敏传感器响应机理 | 第15-18页 |
| ·传感原理 | 第15-16页 |
| ·SiC 气敏传感器的典型结构 | 第16-18页 |
| ·针对不同气体分子的探测 | 第18-20页 |
| ·氢气的探测 | 第18-19页 |
| ·氨气的探测 | 第19页 |
| ·烃类气体的探测 | 第19页 |
| ·一氧化碳的探测 | 第19-20页 |
| ·气敏传感器的物理模型 | 第20-24页 |
| ·解吸吸附模型 | 第20-22页 |
| ·电流输运模型 | 第22-24页 |
| ·器件响应信号的模拟仿真 | 第24-32页 |
| ·ISE 仿真中用到的器件模型 | 第25-29页 |
| ·信号的仿真与分析 | 第29-32页 |
| ·小结 | 第32-35页 |
| 第三章 碳化硅 SBD 气敏传感器的制备方案设计 | 第35-45页 |
| ·器件的制备技术研究 | 第35-39页 |
| ·SBD 器件的总体结构 | 第35-36页 |
| ·栅金属、缓冲层和背电极的制备 | 第36-37页 |
| ·关键薄绝缘层的制备 | 第37-39页 |
| ·SBD 器件整体结构的分析与设计 | 第39-41页 |
| ·SBD 气敏传感器制备流程设计 | 第41-43页 |
| ·制备步骤安排 | 第41-42页 |
| ·各实验样品之间的比较 | 第42-43页 |
| ·SBD 气敏传感器响应特性预测分析 | 第43-44页 |
| ·小结 | 第44-45页 |
| 第四章 碳化硅 MOSFET 气敏传感器的制备方案设计 | 第45-59页 |
| ·MOSFET 传感器的特点 | 第45-46页 |
| ·MOSFET 制备工艺研究 | 第46-48页 |
| ·样品准备 | 第48页 |
| ·栅金属的淀积 | 第48页 |
| ·实验流程设计 | 第48-56页 |
| ·版图绘制 | 第56-57页 |
| ·小结 | 第57-59页 |
| 第五章 总结与展望 | 第59-61页 |
| 致谢 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 研究成果 | 第67-68页 |