| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-15页 |
| ·h-BN 的性质和应用 | 第9-11页 |
| ·h-BN 中的堆垛缺陷 | 第11-12页 |
| ·h-BN 的研究现状 | 第12-13页 |
| ·本论文的研究目的和内容 | 第13-15页 |
| 第二章 理论基础与计算方法 | 第15-26页 |
| ·密度泛函理论 | 第15-18页 |
| ·交换关联泛函 | 第18-20页 |
| ·局域近似交换关联泛函 | 第18-19页 |
| ·广义梯度近似交换关联泛函 | 第19-20页 |
| ·赝势方法和全电子方法 | 第20-21页 |
| ·赝势方法 | 第20页 |
| ·全电子方法 | 第20-21页 |
| ·计算方法和模型 | 第21-26页 |
| ·能带和态密度 | 第22页 |
| ·电子跃迁声子辅助能量 | 第22-24页 |
| ·介电函数 | 第24-25页 |
| ·缺陷形成能和L-J 势能 | 第25-26页 |
| 第三章 堆垛缺陷对h-BN 电子结构的影响 | 第26-45页 |
| ·h-BN 的结构性质 | 第26-28页 |
| ·h-BN 堆垛缺陷形成能和层间L-J 势能 | 第28-30页 |
| ·存在堆垛缺陷体系的电子结构 | 第30-43页 |
| ·h-BN 五种本征堆垛能带结构 | 第30-32页 |
| ·堆垛缺陷对h-BN 态密度的影响 | 第32-39页 |
| ·堆垛缺陷对h-BN 体系电子跃迁声子辅助能量的影响 | 第39-41页 |
| ·h-BN 缺陷结构局域电荷密度 | 第41-42页 |
| ·类AE 堆垛缺陷浓度变化对体系电子结构的影响 | 第42-43页 |
| ·本章小结 | 第43-45页 |
| 第四章 堆垛缺陷对h-BN 光学性质的影响 | 第45-56页 |
| ·引言 | 第45页 |
| ·h-BN 的光学性质 | 第45-48页 |
| ·堆垛缺陷对h-BN 光学性质的影响 | 第48-50页 |
| ·堆垛缺陷对介电函数虚部特征峰的影响 | 第48-49页 |
| ·堆垛缺陷对h-BN 完整堆垛带边发光的影响 | 第49-50页 |
| ·h-BN 激子类型的GW 探索 | 第50-55页 |
| ·激子 | 第50-51页 |
| ·GW 方法简介 | 第51-52页 |
| ·GW 方法对h-BN 带隙的修正 | 第52页 |
| ·GW 方法计算h-BN 的光学性质 | 第52-53页 |
| ·GW 方法计算h-BN 激子束缚能 | 第53-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 第五章 总结与展望 | 第56-58页 |
| ·论文总结 | 第56-57页 |
| ·论文展望 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 攻读硕士期间发表和完成的论文 | 第65页 |