| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 引言 | 第9-14页 |
| ·红外光电子材料简介 | 第9-10页 |
| ·红外光电子材料碲镉汞 | 第10-12页 |
| ·红外光电子碲镉汞探测器材料的制备和应用 | 第12页 |
| ·本论文研究的目的和内容 | 第12-14页 |
| 第2章 研究理论和方法 | 第14-22页 |
| ·密度泛函理论 | 第14-16页 |
| ·交换关联泛函 | 第16-17页 |
| ·赝势方法 | 第17-18页 |
| ·计算细节与分析方法 | 第18-22页 |
| ·态密度 | 第18-19页 |
| ·电荷密度 | 第19页 |
| ·缺陷形成能、动力学能级即缺陷复合体的束缚能 | 第19-21页 |
| ·电子局域函数 | 第21-22页 |
| 第3章 B在Hg_(0.75)Cd_(0.25)Te材料中的掺杂行为 | 第22-35页 |
| ·引言 | 第22-23页 |
| ·B在Hg_(0.75)Cd_(0.25)Te中的掺杂行为 | 第23-34页 |
| ·弛豫结果分析 | 第23-27页 |
| ·缺陷的形成能和缺陷复合体的束缚能 | 第27-29页 |
| ·态密度 | 第29-31页 |
| ·电荷密度 | 第31-33页 |
| ·电子局域函数 | 第33-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 第4章 Be在Hg_(0.75)Cd_(0.25)Te材料中的掺杂行为 | 第35-43页 |
| ·引言 | 第35-36页 |
| ·Be在Hg_(0.75)Cd_(0.25)Te中的掺杂行为 | 第36-42页 |
| ·弛豫结果分析 | 第36-37页 |
| ·缺陷的形成能 | 第37-39页 |
| ·态密度 | 第39-40页 |
| ·电荷密度及电子局域函数 | 第40-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 第五章 总结和展望 | 第43-44页 |
| ·论文总结 | 第43页 |
| ·展望 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-49页 |
| 致谢 | 第49-50页 |
| 攻读硕士学位期间完成的论文 | 第50页 |
