| 摘要 | 第1-8页 |
| ABSTRACT | 第8-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-28页 |
| ·研究背景和研究意义 | 第15-16页 |
| ·晶体管的发展动态 | 第16-21页 |
| ·晶体管尺寸方面 | 第16-19页 |
| ·晶体管材料方面 | 第19-21页 |
| ·新型微波晶体管噪声特性国内外研究现状 | 第21-26页 |
| ·国外研究现状 | 第21-25页 |
| ·国内研究现状 | 第25-26页 |
| ·本文的研究内容及文章结构 | 第26-28页 |
| 第二章 晶体管噪声基础理论及其模拟方法 | 第28-50页 |
| ·晶体管噪声基础理论 | 第28-33页 |
| ·晶体管噪声的种类 | 第28-31页 |
| ·晶体管噪声的表征 | 第31-33页 |
| ·晶体管噪声模拟方法 | 第33-49页 |
| ·半导体器件模拟方法 | 第33-34页 |
| ·基于等效电路模型的经验基方法 | 第34-37页 |
| ·基于 DD 或 HD 模型的半物理基方法 | 第37-39页 |
| ·基于蒙特卡洛方法的物理基方法 | 第39-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 第三章 硅基纳米双栅 MOSFET 物理基噪声特性研究 | 第50-68页 |
| ·硅基纳米双栅 MOSFET | 第50-51页 |
| ·蒙特卡洛方法的验证 | 第51-55页 |
| ·硅基纳米双栅 MOSFET 器件模拟特性 | 第55-66页 |
| ·静态特性 | 第55-59页 |
| ·小信号特性 | 第59-62页 |
| ·噪声特性 | 第62-66页 |
| ·本章小结 | 第66-68页 |
| 第四章 硅基纳米无结型 MOSFET 物理基噪声特性研究 | 第68-96页 |
| ·硅基纳米无结型 MOSFET | 第68-69页 |
| ·硅基纳米无结型 MOSFET 器件结构 | 第69-71页 |
| ·硅基纳米无结型 MOSFET 器件模拟特性 | 第71-83页 |
| ·静态特性 | 第71-76页 |
| ·小信号特性 | 第76-80页 |
| ·噪声特性 | 第80-82页 |
| ·小结 | 第82-83页 |
| ·新型的硅基纳米无结型 MOSFET 噪声特性研究 | 第83-94页 |
| ·新型的无结型 MOSFET 器件结构 | 第83-85页 |
| ·沟道梯度掺杂的赝无结型 MOSFET 器件模拟特性 | 第85-94页 |
| ·小结 | 第94页 |
| ·本章小结 | 第94-96页 |
| 第五章 GaN HEMT 半物理基噪声特性研究 | 第96-114页 |
| ·GaN HEMT 低噪声器件工作机理 | 第96-102页 |
| ·GaN HEMT 器件结构及其导电机理 | 第96-97页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结的二维电子气 | 第97-101页 |
| ·GaN HEMT 噪声性能分析 | 第101-102页 |
| ·基于半物理基数值模型的凹栅 GaN HEMT 噪声特性研究 | 第102-108页 |
| ·凹栅 GaN HEMT 器件结构 | 第102-103页 |
| ·半物理基数值模型的建立 | 第103-105页 |
| ·凹栅 GaN HEMT 器件模拟特性 | 第105-107页 |
| ·小结 | 第107-108页 |
| ·基于半物理基数值模型的 InAlN/GaN HEMT 噪声特性研究 | 第108-112页 |
| ·InAlN/GaN HEMT 器件 | 第108页 |
| ·半物理基数值模型的建立 | 第108-110页 |
| ·InAlN/GaN HEMT 器件模拟特性 | 第110-112页 |
| ·小结 | 第112页 |
| ·本章小结 | 第112-114页 |
| 第六章 GaN HEMT 经验基噪声特性研究 | 第114-135页 |
| ·简便的 GaN HEMT 噪声等效电路模型 | 第114-122页 |
| ·模型的设置 | 第114-115页 |
| ·模型的噪声参数推导 | 第115-119页 |
| ·模型的验证 | 第119-120页 |
| ·模型的讨论 | 第120-122页 |
| ·凹栅 GaN HEMT 器件噪声等效电路模型的建立 | 第122-129页 |
| ·小信号等效电路模型的建立 | 第123-127页 |
| ·噪声等效电路模型的建立 | 第127-129页 |
| ·凹栅 GaN HEMT 低噪声放大器设计与制作 | 第129-134页 |
| ·稳定性分析 | 第130-131页 |
| ·匹配网络设计 | 第131-132页 |
| ·测试结果与分析 | 第132-134页 |
| ·本章小结 | 第134-135页 |
| 第七章 总结与展望 | 第135-139页 |
| 致谢 | 第139-140页 |
| 参考文献 | 第140-152页 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 | 第152-154页 |
| 附录 | 第154-156页 |
