| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| ·GaN 材料的主要特性 | 第10-11页 |
| ·GaN HEMT 功率器件的特性 | 第11-12页 |
| ·GaN HEMT 功率器件国内外研究动态 | 第12-13页 |
| ·GaN HEMT 功率器件建模概述及国内外研究动态 | 第13-17页 |
| ·本文的主要工作 | 第17-19页 |
| 第二章 GaN HEMT 小信号建模与分析 | 第19-41页 |
| ·GaN HEMT 器件结构 | 第19-20页 |
| ·信号参数矩阵 | 第20-23页 |
| ·传统的 FET 小信号等效电路模型 | 第23-26页 |
| ·改进的 GaN HEMT 小信号等效电路模型 | 第26页 |
| ·GaN HEMT 小信号等效电路参数提取 | 第26-32页 |
| ·寄生参数的提取 | 第27-30页 |
| ·本征参数的提取 | 第30-32页 |
| ·GaN HEMT 小信号等效电路模型验证 | 第32-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第三章 GaN HEMT 大信号建模与分析 | 第41-60页 |
| ·GaN HEMT 大信号模型的分类及其对比 | 第41-42页 |
| ·GaN HEMT 非线性漏源电流 Ids模型 | 第42-50页 |
| ·几种常见的非线性漏源电流模型 | 第42-44页 |
| ·改进的非线性漏源电流模型 | 第44-50页 |
| ·GaN HEMT 非线性电容模型 | 第50-55页 |
| ·栅源电容 Cgs的改进 | 第51-53页 |
| ·栅漏电容 Cgd的改进 | 第53-55页 |
| ·温度相关的大信号模型 | 第55-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 第四章 GaN 无源元件建模以及模型库的建立 | 第60-84页 |
| ·电感模型的建立 | 第60-70页 |
| ·电感的Π型拓扑结构 | 第61页 |
| ·电感的Π型拓扑结构等效电路参数提取 | 第61-62页 |
| ·电感模型的建立与验证 | 第62-70页 |
| ·电容模型的建立 | 第70-77页 |
| ·电容传统的Π型等效电路模型及其参数提取 | 第70-71页 |
| ·改进的电容的Π型等效电路模型 | 第71-72页 |
| ·电容模型的建立与验证 | 第72-77页 |
| ·通孔模型的建立 | 第77-78页 |
| ·微带线模型的建立 | 第78-80页 |
| ·GaN 元件模型库的建立和安装 | 第80-83页 |
| ·模型库的基本组成 | 第80-81页 |
| ·GaN 元件模型库的建立 | 第81页 |
| ·GaN 元件模型库的安装 | 第81-83页 |
| ·本章小结 | 第83-84页 |
| 第五章 结论 | 第84-85页 |
| 致谢 | 第85-86页 |
| 参考文献 | 第86-90页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第90-91页 |