| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-26页 |
| ·引言 | 第14页 |
| ·CdZnTe 薄膜的制备方法 | 第14-19页 |
| ·电化学沉积法 | 第15页 |
| ·金属有机化学气相沉积法 | 第15-16页 |
| ·真空蒸发法 | 第16-17页 |
| ·近空间升华法 | 第17-18页 |
| ·磁控溅射法 | 第18-19页 |
| ·金属诱导法 | 第19-20页 |
| ·金属诱导法的背景介绍 | 第19页 |
| ·金属诱导法在半导体薄膜中的应用 | 第19-20页 |
| ·薄膜的分析测试 | 第20-24页 |
| ·薄膜厚度的测量 | 第20-21页 |
| ·薄膜表面形貌的分析 | 第21页 |
| ·薄膜成分的分析 | 第21-22页 |
| ·薄膜结构的分析 | 第22页 |
| ·薄膜光透过率的测定 | 第22页 |
| ·薄膜禁带宽度的分析 | 第22-23页 |
| ·薄膜晶粒尺寸的分析 | 第23页 |
| ·薄膜电阻率的测定 | 第23-24页 |
| ·本课题的研究目的、步骤及创新之处 | 第24-26页 |
| ·本课题的研究目的 | 第24页 |
| ·本课题的研究步骤 | 第24页 |
| ·本课题的创新之处 | 第24-26页 |
| 第二章 CdZnTe 先驱膜的制备及研究 | 第26-54页 |
| ·CdZnTe 先驱膜的制备 | 第26-28页 |
| ·实验原料与试剂 | 第26页 |
| ·设备及仪器 | 第26-27页 |
| ·磁控溅射制备薄膜具体实验步骤 | 第27页 |
| ·工艺参数的设计 | 第27-28页 |
| ·工艺参数对薄膜结构和性能的影响 | 第28-50页 |
| ·溅射气压对薄膜结构和性能的影响 | 第28-31页 |
| ·溅射功率对薄膜结构和性能的影响 | 第31-34页 |
| ·衬底温度对薄膜结构和性能的影响 | 第34-39页 |
| ·靶间距对薄膜结构和性能的影响 | 第39-41页 |
| ·溅射时间对薄膜结构和性能的影响 | 第41-44页 |
| ·退火温度对薄膜结构和性能的影响 | 第44-47页 |
| ·退火时间对薄膜结构和性能的影响 | 第47-50页 |
| ·工艺参数的选择和确定 | 第50-51页 |
| ·本章小结 | 第51-54页 |
| 第三章 铝诱导法 CdZnTe 薄膜的制备及研究 | 第54-76页 |
| ·铝诱导法制备 CdZnTe 薄膜 | 第54-55页 |
| ·实验原料与试剂 | 第54页 |
| ·设备及仪器 | 第54页 |
| ·实验工艺流程 | 第54-55页 |
| ·实验具体步骤 | 第55-56页 |
| ·制备 CdZnTe 先驱膜 | 第55页 |
| ·制备铝膜 | 第55页 |
| ·铝膜的去除方法 | 第55-56页 |
| ·铝诱导 CdZnTe 薄膜的工艺参数 | 第56页 |
| ·铝诱导工艺参数对 CdZnTe 薄膜结构和性能的影响 | 第56-68页 |
| ·铝溅射功率对铝诱导 CdZnTe 薄膜的影响 | 第56-61页 |
| ·铝溅射时间对铝诱导 CdZnTe 薄膜的影响 | 第61-65页 |
| ·退火时间对铝诱导 CdZnTe 薄膜的影响 | 第65-68页 |
| ·铝诱导法对不同功率制备的 CdZnTe 薄膜的影响 | 第68-72页 |
| ·铝诱导法诱导 CdZnTe 薄膜的机理探讨 | 第72-74页 |
| ·本章小结 | 第74-76页 |
| 第四章 结论 | 第76-78页 |
| 参考文献 | 第78-82页 |
| 致谢 | 第82-84页 |
| 研究成果及发表的学术论文 | 第84-86页 |
| 作者和导师简介 | 第86页 |